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纳米器件超高分辨率光刻胶的开发

作者:孙再吉光刻胶纳米器件超高分辨率低分子量电子材料晶体化分子形态粗糙度溶解性

摘要:<正> 据日本《电子材料》2004年第1期报道,日本NEC和Tokuyama公司共同开发了高品质的用于纳米结构超高分辨率的电子束曝光光刻胶。是直径为0.7nm的低分子量光刻胶。其特点主要有三个:①可实现目前世界最高的8nm分辨率②由于其难以

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半导体信息

《半导体信息》是一本有较高学术价值的双月刊,自创刊以来,选题新奇而不失报道广度,服务大众而不失理论高度,颇受业界和广大读者的关注和好评。

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