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非晶氧化铟镁薄膜晶体管的光电特性研究

作者:卢慧玲; 张乐陶; 周航; 张盛东薄膜晶体管金属氧化物紫外探测氧化铟镁光电特性

摘要:研究了氧化铟镁(MgInO)薄膜晶体管在不同波长下的光响应。实验表明,入射光波长减小,光电流将增加。和积累区相比,耗尽区具有更高的信噪比,更适合于紫外探测。器件在短波时具有较大的响应度(>1A/W),截止波长在360nm左右。同时研究了源漏电压和沟道长度对光电流的影响。光电流与源漏电压之间具有良好的线性关系;沟长变短,渡越时间减小,可获得更高的光电增益。

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光电子技术

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