时间：2023-05-31 09:09:25
开篇：写作不仅是一种记录，更是一种创造，它让我们能够捕捉那些稍纵即逝的灵感，将它们永久地定格在纸上。下面是小编精心整理的12篇集成电路，希望这些内容能成为您创作过程中的良师益友，陪伴您不断探索和进步。
单端和全差分输入微功耗10位150ks/s ADC ASl528是一款10位超低功耗单通道全差分A/D转换器，ASl529是双通道单端超低功耗A/D转换器。它们在150ks/s最高采样速度下功耗也低于350 u A(3V)。自动关断功能可使器件存转换之间进入休眠模式，从而显著降低较低在采样速度下的功耗。在采样速度降至100ks/s时，功耗可降至245 μA(3V)。如果在几乎静止的1ks/s采样速度时，功耗仅为2.5/μA，而关断期间仅为200nA。
austriamicrosystems
电话：0512-6762-2590
省略
本地数字温度传感器 TMP102采用SOT563封装，包含引脚的高度仅为0.6mm。它在工作模式下的最大静态电流仅为10 μA，关断模式下的最大电流仅为IμA；电源电压范围为1.4～3.6V，因此可充分利用目前的1.8V电源总线，有一个地址引脚，与SDA与SCL配合使用可生成四个不同地址，这样就能在同一SMBus上支持多达四个TMP102传感器。该传感器还具备SMB报警功能。
通常情况下，TMP102在-25～+85℃温度范围内的误差可精确至0.5℃。该传感器支持12位精度，测量精度可达0.0625℃。
Texas Instruments
电话：800-820-8682
省略
2.4GHz与1GHz以下RF片上系统解决方案
CC2510与CC1110集成了RF收发器(CC2500与CC1101)、业界标准增强型8051微控制器、8/16/32KB系统内可编程闪存，1/2/4KB RAM以及其他功能一所有这些都包含在6mm×6ram 36引脚QLP封装中。其他功能还包括最低功耗模式下的300nA睡眠电流、嵌入式128位高级加密标准(AES)安全协处理器、良好的接收机选择性与阻塞性能、高灵敏度、高达500kB的可编-程速率以及2.0～3.6V的宽范围电源供应。
Texas Instruments
电话：800-820 8682
省略
支持数字扩音器的立体声音频编解码器
四通道TLV320AlC34、TLV320AIC33以及TLV320AIC3106立体声编解码器既能接收来自数字扩音器的数字位流，也能接收来自传统模拟扩音器的差动或单端输入。除了能直接连接于数字扩音器外，新型编解码器还有如下特点：支持8～96ks/s的采样率；数模转换与模数转换的信噪比(sNR)分别达到了102dB与92dB；集成锁相环(PLL)，支持各种音频时钟；支持便携式系统的低功耗耳机、扬声器以及回放模式；可编程数字音效，包括3D音效、低音、高音、EQ以及去加重等。
Texas Instruments
电话：800-820-8682
省略
单芯片TFT液晶显示驱动器
SSD2220能支持240×432(WQVGA)分辨率的移动设备TFT液晶显示器。其有多个独特之处，如多次编程以供电压校准、分离RGB伽玛校正以提升显示表现，以及电荷分配科技。它可提供262K的真彩色及64个中度电压水平以产生灰阶效果。其他特点：行动产业处理器接口(MIPI)，并只须四条信号线，动态背光控制(DBC)，支持同样的WQVGA解像度TFT液晶显示器；pad坐标(pad coordinates)设计。
晶门科技
电话：0755-8616-9900
省略
双稳态显示驱动控制器
SSD1623支持96段及一个通用输出，以直接驱动显示器，其内置的直流电压转换器可将低电压升至38V。主要特点：灵活的驱动波形，科应对不同显示需求；内置振荡器；提供串行(SPI)微控制器(MCu)接口，以供输入数据及指令；供应类型包括裸芯片、凸出式金属接点芯片(gold bump die)及COF封装。
晶门科技
电话：0755-8616-9900
省略
DUAL SLANT 45 WlMAX基站天线
这种天线完全符合欧洲电信标准协会(ETSI)的EN 301.525 CS图形规范的要求，它的性能一致而且可靠。
新型天线的工作频率范围是2.3～2.省略
省略
超高性能立体声数字模拟转换器 WM8741可提供128dB的信噪比(单声道)，独有高级数字滤波器选择功能。其通过低阶调制器和多位数字模拟转换器(DAC)架构，可获得较低的频段外噪声和世界级的线性度，从而提高声音质量。WM8741采用一个完全差分市体声音频DAC系统，带有一系列音频接口选项，可用于SACD和CD回放的连接。该系统包括1个抖动数字内插值滤波器、精细分辨率音量控制和数字去加重、1个多位∑－调制器以及带有差动电压输出的开关电容多位电路级。 欧胜微电子
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高精度可编程延迟线
DS1124是5.0V、8位可编程延迟线，具有3线串行接口，可级联多个器件实现多级可编程延迟。器件具有0.25ns的标称延迟步进，O级的延迟为20ns，而255级的延迟为83.75ns。在工业级温度范围内，DS1124具有±3ns的积分非线性(INL)―或称为与0级和255级两点所连成的直线的最大偏离值。
DS1124可延迟最高12.5MHz的信号，工作在4.75～5.25V的电压下，采用10引脚μMAX封装，规定工作在―40~+85℃工业级温度范围。
Maxim
电话：010-6211-5199
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超小半/全双工Rs-485收发器
MAX13181E和MAXl3184E采用2ram×2ramμDFN封装，相比现有RS-485收发器尺寸可节省50％的电路板空间。其内置增强型±15kV ESD保护(人体保护模型)、上拉/下拉电阻以及1/8单位负载接收输入阻抗，因此可在总线上挂接最多256个收发器。MAXl3181E/MAXl3182E具有摆率受限的驱动器，可降低EMI并在强辐射噪声的环境中实现最高500kbps的无误码传输。另外，MAX13183E/MAXl3184E还具有全速驱动器，可实现高达16Mbps的数据速率。该系列可工作在40～+85℃扩展级温度范围，器件采用10引脚“DFN封装。
Maxim
电话：010-6211-5199
省略
安全非易失sRAM控制器
当检测到篡改事件时，DS3605快速擦除该外部SRAM上的密钥。为了进一步提高安全性，该器件还集成了实时时钟(RTC)、电池备份控制器、系统电源监视器、CPU监控器、温度传感器以及四路通用篡改检测比较器输入。
DS3605还具有四路通用篡改检测比较器输入，用了连接各种篡改检测机械装置。发生主电源掉电时，DS3605将立刻切换到外部电池供电，以保持篡改电路有效。该器件还可以连续监视基底温度以及晶体振荡器。一旦发生篡改事件，器件随后将记录并保存该时间，以便日后分析。
Maxim
电话：010-6211-5199
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采用3mm×2mill封装的PC ADC LTC2453在2.7～5.5V的单一电源范围内工作，能够测量高达±Vcc的差分输入。性能特点：50nA动态输入电流：3mm×2mm DFN封装；2LSBINL、无漏码：4LSB满标度误差；2.7～5.5V单电源工作；1.4 u VRMS转换噪声；在60Hz输出变化率时为800uAt在1Hz输出变化率时为15uA,0.省略
省略
纤巧低成本轨至轨放大器 LTC6087和LTC6088采用纤巧DFN封装，实现了最大750uV的失调电压、14MHz GBW和lpA偏置电流，同时每放大器最大仅消耗1.25mA电流。LTC6087和LTC6088还提供最低93dB PSRR，136dB的大信号电压增益确保增益线性度。
其他特点：偏压漂移：最大值为5u/℃；最大输入偏置：lpA(25℃时的典型值)。
40pA最大值(TA≤70℃)大信号电压增益；典型值为135dB,增益带宽积为14MHz,CMRR最小值为70dB,PSRR最小值为93dB；0.1～10Hz噪声：5.8uVp-p；电源电流1.3mAl轨至轨输入和输出；单位增益可稳定；2.7～5.省略
省略
针对802.11n Wi―Fi产品的射频构建模块SE2537L是一款5GHz功率放大器，而SE258lL则是2.4GHz功放。SE2537L和NSE2581L的组合解决方案集成了一个数字接口，可免除昂贵且耗电的模拟参考电压。SE2581L的集成式功率检测器为5GHz输出线的耦合信号提供了一个输入端口，从而让双频带可以共享一个检测器输出端口。 基于SE2537L及SE2581L的系统可达到+20dBm/2.5GHz和+19.5dBm/5GHz。SE2581L是SE2527L器件之功能增强版本，同样也包含了一个动态范围20dB的集成式功率检测器。由于这种高性能可在更大的覆盖距离内优化更高数据率的传输，因此系统可以支持新兴的802.lln应用。
SiGe Semiconductor
电话：00852-3428-7222
省略
PcIe交换解决方案
这四款PCIe交换解决方案分别为24通道、6端口，24通道、3端口，6通道、6端口，以及4通道、4端口。每个交换解决方案都有一个用于器件测试和分析，以及系统仿真的专用评估和开发套件。每个套件包含一个代表上行和下行连接的硬件评估板，以及一个IDT开发的基于GUI的软件环境，有助于设计师调节系统和器件配置来满足系统要求。这些PCIe交换器具有良好的每瓦性能，以及为批量和价值服务器市场优化的功能。
IDT
电话：021-6495-8900
省略
具有温度切换功能的恒温输出IC
该产品有两个系列，一个是检测中心温度及其上+5℃、其下-5℃共3级可切换的BDEXXXOG系列(漏极开路输出、低电平有效)；另一个是检测中心温度及其上4级(每增加25℃为一级)、其下4级(每降低25℃为一级)，共9级可切换的BDFXXXOG系列(漏极开路输出、低电平有效)。
性能特点：检测温度中心及+5℃和-5℃共3级可切换BDEXXXOG系列，检测温度中心及+2.5"C、+5℃、+7.5℃+10℃、2.5℃、-5℃、-7.512、-10℃共9级可切换BDFXXXOG系列。温度检测精度为±4℃，工作电流为16A；检测温度滞后：标准10℃；漏极开路、低电平有效。
罗姆电子
电话：021-6279-2727
省略
具有片上CAN和EEPROM的8位MCU系列
SO8D系列是集成了控制器区域网络(CAN)接口、电子可擦拭可编程只读内存(EEPROM)和片上仿真/调试工具的8位MCU。嵌入式CAN接口为众多汽车和工业控制应用提供理想的连通性解决方案，而嵌入式EEPROM则通过实现数据的轻松写入和擦拭，无须外部串行EEPROM，从而提高了系统
设计灵活性。具有片上调试功能的集成-开发工具能够让设计人员进行实时快速调试，实现产品快速面市。每一种集成功能都可以在-40～125℃的整个汽车温度范围内正常使用。 Freescale Semiconductor 电话：800-990-8188 省略
单电源多路复用器 ISL5945l和ISL59452是用于高端消费视频产品的单电源、缓冲的三重4:1多路复用器。ISL59451具有集成的直流恢复功能，ISL59452专为交流耦合系统而设计。 ISL59451和ISL59452的特性包括：带宽250MHz；针对要求双端负载的多种应用，此器件能够驱动150Ω视频载荷，减少反射；亚像素转换率可以实现无像素损耗的视频信号转换，输出增益可在x1或x2之间选择；可支持高阻抗输出；采用带散热片的紧凑的QFN封装，非常适于当今空间受限的消费类产品应用。
Intersil
电话：021-6335-1198
省略
用于移动设备的低功耗HDMI发射器 VastLane HDMI发射器Sii9022与Sii9024显著地降低了功耗，同时提高了移动设备的可靠性与电池寿命。Sii9022发射器的特别设计可将HDMI的优越性能用于更小的移动设备之上。Sii9024发射器将用于移动设备，进行优质内容的传输，并与一个集成的高带宽数字内容保护(HDCP)引擎和钥匙相结合，从而使内容可以在采用了HDMI的设备间安全传输。Sii9022与Sii9024均可提供85MHz与165MHz的速率。
Silicon Image
电话：0755-8347-5885
省略
低功耗MCU为便携式医疗诊断设备提供完整信号链 MSP430FG4270微控制器能为手持式医疗应用提供完整的信号链，同时促使价格进一步降低。大容量片上存储器与全系列集成模拟外设有助于尽可能降低组件成本，缩小系统占用空间，理想适用于多种便携式应用，如个人血压监控器、肺活量计、搏动器以及心率监控器等便携式应用。 MSP430FG4270的16位RISC架构能够优化性能，延长电池使用寿命――这是便携式应用设计人员最关切的问题。片上功能集成了多种组件，其中包含一个支持内部参考与5个差动模拟输入的高性能16位∑一型ADC、一个12位DAC、两个可配置的运算放大器、一个16位计时器和多个16位寄存器等。
Texas Instruments
电话：800-820-8682
省略
内含直流转换控制器的单端口PoE接口器件
内含直流转换(DC/DC)控制器以支持以太网供电设备(PSE)的单端口双功能以太网供电(PoE)控制器Si3460把两种功能集成至单颗芯片，协助设计人员大幅简化开发工作量、降低系统成本和避免兼容性问题，适合家庭网关、机顶盒和VoIP系统等新出现的PoE应用。
Si3460支持高速(10/100Mb/s)和吉比特以太网端点装置及中跨设备(midspans)，并能通过管脚设置以输出最大功率(15.4W，Class 0)给PSE设备，或将输出功率限制在IEEE第1到第3类设备的规定范围。
Silicon Laboratories
电话：021-6237-2233
省略
用于智能卡的90nm内置闪存的安全型微控制器
用90nm制造工艺的内置闪存的安全型微控制器ST21F384是ST的ST21智能卡平台内的一款安全型微控制器，是为2.5G和3G移动通信优化的产品。
ST21 F384的内核是一个8/16位CPU，线性寻址宽度16MB，典型工作频率21MHz。芯片内置7KB用户RAM存储器，以及128字节页而的384KB闪存，耐擦写能力与早期安全微控制器的EEPROM存储器相当。电流消耗完全符合2G和3G的电源规格，达到了(U)SIM的应用要求。该微控制器含有一个硬件DES(数据加密标准)加速器和用户可以访问的CRC(循环冗余代码)计算模块。
STMieroelectronics
电话：010 5984-6288
省略
适合智能动力传动应用的4KbFRAM存储器
3V、4Kb并具有串行外设接口(SPI)的FRAM器件FM25L04-GA现符合Grade 1AEC-Q100的规范要求，可在40~+125℃的汽车工作温度范围内工作。
这款Grade 1 FRAM器件是同等EEPROM产品的直接硬件替代产品，但功能更强，具有高速的写入能力、几乎无限次的擦写，以及低工作电流。FM25L04-GA可以在高达10MHz的总线速度下进行读写操作，并具有先进的写保护方案以防止意外的写入与数据损坏。在+125℃时保证数据保存9000小时，在55℃时数据更可保存17年，在汽车温度范围内并以3.0V电压运行。
RAMTRON
电话：010-8263-8571
省略
超小型RS-485/RS-422单发射器
ISL329xE系列3.3V电源供电的RS-485/RS 422单发射器具有出色的±16.5kV ESD保护和超低电源电流要求。
该系列发射器的静态电源电流(ICC=150uA，最大值)很低，从而在功耗关键型应用领域取得了重大改进。此外，所有器件均具有Tx使能引脚，该引脚将IC置于低功耗关闭模式(ICC=luA，最大值)来在发射器被禁用的时候进一步将低功耗。
一般暴露在外界的发射器输出上的高级ESD保护，以及125℃的工作温度和TDFN封装选项的增强型散热性能彰显了这些器件的强劲性能。加之1SL328xE系列单RS-485/RS-422接收器，用户可以构建小型、高度可靠的串行通信端口。
Intersil
电话：021-6335-1198
省略
便携设备用记忆卡接口芯片
高集成度的微型记忆卡接口芯片EMIF06-SD02F3采用IPAD(有源和无源器件集成)技术，内置可插拔SD(安全数字)记忆卡接口所需的五个基本功
能，适用于带有SD接口的手机、GPS导航设备、数码相机等各种消费类和工业类产品。该收发器集成了信号调节，双向电平转换、ESD(静电放电)保护、EMI(电磁干扰)过滤单元和一个2.9V稳压器。
该芯片符合标准的和高速SD接口协议标准，以及MiniSD、MMc和uSD/TransFlash标准。此外，该芯片还提供6个高速双向电平转换器，它们的工作频率50MHz，典型传播延迟3ns，能够把2.9V的记忆卡连接到1.8V主处理器。
STMicroelectronics
电话：010-5984 6288
省略
用于摩托车引擎控制的32位MCU
32位的XC2700系列微控制器适合摩托车电子引擎装置，并满足即将颁布的排放标准要求。 XC2700系列以C166SV2高性能微控制器内核为基础，可在80MHz的频率下，通过66MHz五级管线提供单周期执行。它还集成了内存、稳压器和接口等关键外设，以降低系统总体成本，而且该全新的微控制器系列可以采用现有的C166SV2开发软件，使该系列成为经济高效的解决方案。 Infineon Technologies 电话：021 6101 9000 省略
用于北美LCD数字电视的单芯片LSI RSJ66954BG可以实现北美LCD数字电视的主要信号处理功能的，包括从前端信号输入到后端，如LCD面板的信号输出。 芯片功能主要包括：MPEG解码处理电路；降噪电路(从模拟视频信号检测和提取噪声成分以防止屏幕闪烁等的电路)；去隔行扫描电路；Y/C分离电路(分离亮度和色度信号的电路)；数据限幅器功能(诸如隐藏式字幕译码功能)；作为LCD面板控制功能的色彩管理NCM。
Renesas Technology
电话：021-6472-1001
省略.省略
增强性能16位安全MCU
用于需要高级别安全性智能卡应用领域的RS-4系列16位安全MCU可用于银行或信贷公司发出的信用卡或借已卡和身份证。
RS-4系列保持了与其上一代产品的CPU指令代码的兼容，而且可以实现大约五倍的处理性能，能够以高速执行复杂的处理，可以更快地运行如JavaCard或MULTOS的多应用操作系统(OS)，这对在单张智能卡上实现多种功能是非常必要的。此外，其低功耗设计使之适用了非接触操作。RS-4系列有助于开发人员使用一个16位MCU实现高性能和多功能的接触式或非接触式智能卡。
RS-4系列的RS-4CPU内核采用一种新开发的用于安全MCU的专有架构。它有一个16位算术单元和一个16位内部总线。RS-4CPU内核支持较早的代码级兼容的瑞萨AE-416位CPU内核的整个指令集。与AE-4系列相比，RS-4系列旨在提供更高的性能、增强的安全性，以及改善的灵活性的更多的外设功能。RS-4系列的特性概括如下。 Renesas Technology 电话：021-6472-1001 省略.省略
元器件与组件
PPTC电流过载保护器件 picoSMD035F器件是最小的PPTC电流过载保护器件，尺寸为2012mm，符合EIA标准的要求。它的额定电压是6V，保持电流为O.35A，触发电流为0.75A，最大电阻值为1.4Ω。这种器件符合安全机构颁布的标准，其端子涂敷了镍金，因而可焊接性极好。它也符合RollS法规的要求。
泰科电子(上海)有限公司
电话：021-6485 7333
省略
晶闸管浪涌保护器件
44款新的NPxxx器件是大浪涌电流TSPD，保护电压范围是64～350V，提供额定浪涌电流为50、80和100A等不同版本；可限制电压，并将浪涌电流转移至地。它们属于双向保护器件，因此能够在一个封装中提供两个器件的功能，节省出电路板空间。基本上，这些器件在过压发生时进行“消弧”一将可能带来潜在损伤的电能转移出敏感电路或器件。一旦瞬态过压状况过去，这些器件就会恢复到它们正常的“关闭”或透明状态，并且无形地在电路正常工作中发挥功能。这些TSPD没有耗损特性，在快速瞬态情况下提供稳定的性能特征，确保设备可靠持续地操作。 ON Semiconductor 电话：021-5131 7168 省略
基于siGec BicMOs工艺的微波NPN昌体管 BFU725F微波NPN晶体管基于SiGeC BiCMOS工艺，具有高开关频率、高增益和超低噪声等多重特点，适用于各种RF应用。超低噪声可以改善各种无线设备(例如GPS系统、DECT电话、卫星无线电设备、WLAN/CDMA应用)中灵敏的RF接收器的接收效果，而超高断开频率则可以很好地满足运行频率在lO～30GHz内的各种应用(例如卫星低噪声电路模块)的需求。BFU725F符合RoHS标准，可达到极低的噪声(1.8GHz0.43dB/5.8GHz时0.7dB)和很高的最大稳定增益(1.8GHzN27dB/180Hz时10dB)。
NXP Semiconductors
电话：010-6517-2288
SCn.省略
可单独控制红色、绿色及蓝色的LED芯片
高亮度VLMRGB343..提供了高达285mcd(红色)、560mcd(绿色)及200mcd(蓝色)的光强度，可针对苛刻的高效应用单独控制红色、绿色及蓝色LED芯片，专门针对汽车与运输、消费类及普通应用中的背光及照明进行了优化。该器件为黑色表面，可与所有视频标准兼容，其采用占位面积为3.2mm×2.8mm、厚度仅为1.8mm的小型PLCC-4封装。 VLMRGB343..省略
省略
电源
低功耗系列电压基准产品系列
REF33xx是5uA低功耗系列电压基准产品，具备高精度(最大±0.15％)、低温度失调(最大30ppm/C)、低噪声(输出28uVpp/V)、±5mA的稳定输出驱动电流以及SC70-3封装(比SOT23小40％)等多种特性。
该系列提供6种输出电压：1.25V(REF3312)、1.8V(REF3318)、2.048V(REF3320)、2.5V(REF3325)、3.0V(REF3330)以及3.3V(REF3333)。在具体负载情况下，这些器件还能在高于输出电压110mV的电源电压下工作，REF3312除外，它要求1.8V的最小电源电压。该系列的所有型号均可在40～+125℃的宽泛工业温度范围内工作。
Texas Instruments
电话：800-820-8682
省略
MR16兼容式LED射灯专用芯片组
该芯片组能够把现有解决方案的元件数目减少多达50％，大幅减少灯颈部分印刷电路板的尺寸和重量。这款高集成度的MRl6芯片组可以提供所有相关的功率整流、LED电流控制和保护功能。MR16是卤素反射灯的标准格式，目前在各种家居、零售或办公室环境中的方向性照明应用中得到了广泛采用。以LED制成的不同类型电灯设备，不论在效率和可靠性方面皆得到显著改善。
Zetex Semiconductors
电话：852-2610-7932
省略
16位12C LED调光器
CAT9532为背光和RGB混色应用提供驱动16个并联LED的能力，并同时提供256缴调光的功能。这个器件也可以单独开启，关闭或闪烁每个LED(闪烁频率有两种可编程方案可选)，此外，该器伴还可以通过laC或SMBus接口实现传感器控制，电源开关，开关按钮和状态指示照明等功能。
产品特性：16个漏极开路输出，每路驱动电流为25mA；两种可编程闪烁频率：频率为0.593～153Hz，占空比为O％～99.6％；I/O町被用做通用I/O口；兼容400kHz I2C总线规范；24引脚SOIC，TSSOP或者24焊点(pad)TQFN封装(尺寸为4mm×4mm)。
Catalyst
电话：021-6249-1349
省略
高度集成照明管理IC MAX8830无须独立的控制IC，内置四路10mA电流调节器，适合于显示背光或指示信号应用的LED驱动。LED亮度可通过VC接口分32级独立调节。它还集成了低压差(75mV，典型值)200mA闪光灯电流调节器，允许用户通过I2C接口独立编程16级电影和闪光灯模式。可编程闪光灯安全定时器可防止由于闪光灯长时间导通引起的手指烧伤或LED损坏。相机模块可以采用简单的逻辑引脚直接控制闪光灯模式，而电影模式可以通过逻辑控制或I2C按口使能。280mA升压转换器同时集成了开关MOSFET和整流管。
MAX8830可自动检测开路和短路LED，并可通过12C接口读取该状态。其他功能还包括DC/DC转换器的过流保护、过热保护，同时还可以工作在－40+85℃扩展级温度范围。
Maxim
电话：010-6211-5199
省略
高电压、高亮度LED驱动器
MAX16812集成了高压侧/差分LED电流检测放大器以及PWM调光MOSFET驱动器。此外，该器件还内置76V额定、0.2 Ω开关MOSFET，具有宽达100～500kHz的工作频率范围。MAXl6812工作在5.5～76V电源电压范围，可满足冷启动和甩负载应用。它具有过压保护、欠压锁定、软启动以及热关断；规定工作在-40-+125℃汽车及温度范围，采用热增强型5mm×5mm、28引脚TQFN封装。
Maxim
电话：010-6211-5199
省略
针对移动设备的低噪声开关稳压器
AAT2120和AAT2158的功率转换效率分别为96％和95％。AAT2120可提供高达500mA的输出电流，而AAT2158可为需要更高水平电能的应用提供高达1.5A的输出电流。两款器件的输入电压范围均为2.7～5.5V，并支持提供低至0.6V的输出电压。为增强保护性能，这两款降压转换器都提供内部软启动、过温和限流保护电路。这两款新型降压转换器还通过增加100％占空比低压降操作，延长系统的运转时间。
AnalogicTech
电话：010-5162-7271
省略
双转换速率可控负载开关
AAT4282A支持运行在1.5-6.5V输入范围内的3V和5V系统，其静态电流仅为1uA。输入逻辑电平为晶体管晶体管逻辑(TTL)或2.5V到5V互补金属氧化物半导体(CMOS)兼容。
AAT4282A可提供带有不同开与关特点的三个版本。其中，AAT4282A―l是一款带有转换速率限制的负载开关，AAT4282A-2具有少于500ns的开启速度和低于3us典型电流值AAT4282A-3添加了最小转换速率限制开启功能和一个关闭输出放电电路，当开关损坏时可迅速关闭电路。
AnalogieTech
电话：010-5162-7271
省略
升降型DC/DC微型模块稳压器 LTM4605在15mm×15mm×2.8mm焊盘网格阵列(LGA)塑料模制封装中集成了同步升压－降压型DC/DC控制器，4个N沟道MOSFET、输入和输出旁路电容器以及补偿电路。该器件只需要一个电感器、反馈和检测电阻以及大容量电容器就可实现非常扁平、紧凑和高效率的设计。性能特点：单电感器降压－升压型架构；同步4开关工作实现高效率(高达98％)宽输入电压范围：4.5～20V；宽输出电压范围：0.省略
省略
单/双/四/八通道精准电压监视器
LTC2910，LTC2912、LTC2913和LTC2914在汽车温度范围内都具有±1.5％的门限准确度，可以准确监视单通道负载点或多通道应用。性能特点：8个低压可调输入(LTC2910)；4个UV/OV正/负可调输入(LTC2914)；两个UV/OV可调输入(LTC2913)；1个UV/OV可调输入(LTC2912)；保证门限准确度：±1.省略
省略
共阳电流模式高亮度LED驱动器
LM3433可以输出负恒定电流来驱动高功率高亮度的LED，设有两种调节LED亮度的电流控制模式。模拟电流控制模式可以利用输入信号调节电流，以便为不同品牌的LED提供补偿。另一电流控制模式利用逻辑电平调光控制输入信号，以PWM的控制方式控制LED的亮度。PWM的控制模式利用并行开关将LED连接一起，令PWM调光控制频率可以高达40kHz。这款芯片还具备过热停机保护、VCC欠压锁定及逻辑电平停机模式等其他功能。
National Semiconductor
电话：021-5206-2288
省略
内置电压参考电路的微功率比较器
LMP7300的偏置电压只有300uV，而供电电流只有10uA。其供电电压为2.7～12V，最适用于3.3V、5V及±5V的系统。此外，这款芯片又可提供2.0～48V的参考电压，而且误差不超过0.25％，这样准确的参考电压最适宜用来监控输入电压。这款比较器的传播延迟时间不超过5ms，因此可以快速检测信号，而且准确度极高，功耗也极低。
National Semiconductor
电话：021-5206-2288
省略
用于LCD面板的LED驱动器
CAT4139升压转换器提供高达750mA的切换电流，可驱动高达22V的LED串，是数字相框与其他新兴的需要多达40个LED作背光的应用的理想选择；使用固定频率(1MHz)的切换电路架构；内建高压CMOS输出级，可在低输入电压状态下精确驱动5个串联的LED(输出电压可达22V)，转换效率高达87％。
为了抑制上电时产生的浪涌(in-rush)电流，CAT4139集成了软启动控制电路。针对LED开路损坏的情况，片内的过压保护电路通过限制芯片的输出电压来强制芯片进入低功耗模式，无须任何额外器件。上述的两个特性已被完全整合在芯片内，不需增加外部组件和相关成本，还节省了电路板空间。
Catalyst
电话：021-6249-1349
省略
9μVRMS超低噪声LDO ASl358/59/6l/62系列可在2-5.5V电源F工作，其在150mA时的低压降电压为70mV，在300mA时为140mV(仅ASl359/62)，工作时的电流仅为40uA，关断时仅为9nA；可提-供1.4 4.5V范围的预设输出电压，在300mA下的输出电压精度可达到1％；具有电源工作正常输出功能，当输出电压降至规定范围以外时会发出提示信号，导通时间仅为300μs的数字引脚有助干实现系统级的动态电源管理；具有过热和过电流保护功能。该系列有150mA(AS1358/61)和300mA(ASl359/62)两种输出电流供选择，可为各种应用提供足够的功率。
ausiriamicrosystems
电话：0512-6762-2590
省略
具有ESD保护的DC-AC转换器
MAX4990E高压、±15kV ESD保护、DC-AC转换器专门设计用于驱动电致发光(EL)灯。该器件采用基于电感的boost转换器，可产生250Vp-p(最大值)的高电压，实现最大的EL灯亮度。高压全桥输出将这一高电压转换为驱动EL灯所需的交流波形，为实现最大的设计灵活性，MAX4990E具有可减少音频噪声的电阻可调摆率控制，电容可调的开关频率，以及多种选项用于控制出电压。该器件适合用于MP3播放器、PDA、智能电话以及其他需要照明、高效率其至背光的应用。
Maxim
电话：010-621 1-5199
省略
符合VID标准的PWM控制器
ISL884xA是一系列的六个独特脉宽调制(PWM)控制器，在30V的电压下以2MHz的开关频率进行工作。ISL6420BMAEP是一款单独同步降压PWM控制器，它具有宽的输入电压范围-(4.5～28V)，宽输出电压范围(0.6～17.5V)，并能够处理极宽的极度军事温度范围。
Intersil
电话：021-6335-1198
省略
带PWM调光功能的白光LED驱动芯片系列
SB4251l，SB42520和SB4282的输入电压为6～25V，输出电流可达1A；内置温度保护电路，限流保护电路和PWM调光电路；在串接多个LED时的效率可以达到95％以上，可以进行PWM调光，通过外接PWM信号调整LED的输出电流，在100Hz～2kHz范围内可以达到良好的调光效果；另外，SB42511、SB42520芯片内部的自举电路采用独特的控制方法，不需要外接肖特基，在串接多个LED时也可以启动，这相对干采用自举方式工作的其他同类产品在性能上有了很大的提高。SB42821采用恒关断控制技术，不需要进行环路补偿，所需元器件少。此外，SB42821和SB42520内部还集成了使能功能，在关断状态下，静态电流只有25μA。
杭州士兰
电话：0571-8821 0880
省略
测试和测量
万兆以太网线外串扰测试套件
万兆以太网(10GbE)线外串扰测试
套件LANTEKl0GBKIT符合国际测试标准，配合LANTEK 6A和LANTEK7G线缆认证测试仪实现线外串扰测试功能。线外串扰(Alien Crosstalk)是在利用双绞线传输递增频率时所产生的副作用，需要利用传统方式以外的方法来进行测试以确保电缆之间的串扰不会妨碍10Gb正数据的传输。这款LANTEKl0GBKIT由一个双接口线外串扰适配器和12个专用的线外串扰终端组成。双接口线外串扰适配器支持单机测试，无须接入远端机。利用这个套件及一个简单的更新软件，任何LANTEK 6A或LANTEK 7G线缆认证测试仪都可以升级以提供标准兼容的线外串扰测试。
Ideal Industries China LLC
电话：010-8518"3141
省略
具有MSO混合测试功能的虚拟示波器
RIGOL VS5000系列虚拟数字示波器实时采样率高达400MS/s，等效采样率50GS/s，存储深度1M采样点，可提供40MHz至最高200MHz带宽的宽泛选择，VS5000系列采用UltraZoom技术，结合16通道逻辑分析功能，可实现MSO混合测试。
RIGOL VS5000系列虚拟数字示波器突破了传统示波器以硬件为主体的模式，将日益普及的计算机技术与传统的仪器仪表技术结合起来，使用户在操作计算机时，可以全屏幕清晰显示数据/波形，可以方便灵活地完成对被测设备的采集、分析、判断、显示及数据存储等工作。
VS5000系列虚拟数字示波器设计优秀，体积小巧，净重仅0.7kg。采用铝镁合金精密加工的外壳结实、耐用，更完全解决了普通塑料外壳抗干扰性差的缺点。与一些常见的工业板卡式虚拟仪器不同，Vs5000系列支持通用USB2.0高速接口和LAN接口，即插即用，可实现远程控制，让用户的测试更加方便。
RIGOL
电话：010-8070-6688 省略
PXI Exptess定时与同步控制器
PXI Express系统定时拧制器PXIe-6672可以同步具有纳秒精度的多个PXI Express系统。该控制器还便于同步配备GPIB、VXI和其他测量和仪器系统的PXI Express系统。该系统定时控制器生成的高精度的DC～105MHz时钟能够将仪器定时在精确的时钟频串上，并具有高稳定性的TCXO参考时钟。工程师可通过控制器中内外部时钟和触发的板载路由，完全控制PXI触发总线、星状触发线和系统参考时钟。该控制器还可用于实现单个PXIExpress机箱中的复杂同步方案，是高通道数和高性能测试和测量应用的重要功能。
NI
电话：800-820-3622
省略
具备集成化GPS收发器的PXI同步模块
PXI-6682能够在GPS，IRIG(Inter-Range Instrumentation Group)和IEEE 1588上同步PXI系统。PXI-6682可提供GPS的时间、场所和速度，IRIG-B解码和IEEE 1588同步。该模块的设计针对大型物理对象(如：飞机和桥梁)和地理分布式系统(如：电源网络和加速器)中测量或事件的时间标记和触发。工程师还能将该模块用做IEEE 1588网络中的总开关。IEEE1588精度时间协议(P了P)的标准方式能够同步以太网上的PXI、LXI和其他基于IEEE 1588的设备。另外，PXI-6682具有完整的PXI系统定时控制器功能，包括：控制PXI触发总线、星状触发线和系统参考时钟等能力。
NI
电话：800-820-3622
省略
覆盖波长超过2μm的光谱分析仪
AQ6375光谱分析仪利用衍射光栅测量光谱，波长范围覆盖1200～2400nm，波长分辨率在0.05～2.0nm之间，最小接收灵敏度为-70dBm，并可在1s内完成对100nm的扫描。它可以对主要用于环境监测领域2μm波段半导体激光器进行测量，对改善近红外半导体激光器的性能与扩展它的应用提供有效帮助，从而有助于解决环境监测过程中测量分辨率、测量速度、可操作性与维护等问题。1200～2400nm的波长覆盖范围使它不仅可以对激光吸收谱进行测量，也可以对1310mm、1550nm通信波段进行测量，不仅可以用于半导体激光器测量，还可以用于超连续谱(SC)光源的测量。
YOKOGAWA
电话：010-8522 1699
省略/cn-ysh
台式数字万用表
Fluke 8808A型台式数字万用表提供了5.5位的分辨率和多种测量能力，它具有一个双参数显示屏，用户能够同时测量两个不同但相关的参数，其测量功能包括电压、电阻、电流和频率，其直流电压基本准确度为0.01％。仪表采用了低阻抗输入测量电路，能够以100nA的分辨率测量小于200μA的小电流，并且被测电路不产生负载电压。Fluke 8808A的2×4四线欧姆功能采用了专有的分隔端子插头，用户仅利用2根而非4根测试引线即可进行四线欧姆测量。通过可选的2×4测试线，就可以对微型表面贴装元件进行精密的四线欧姆测量。
Fluke 8808A在前面板上提供了6个专用的功能设置按键，其功能类似于汽车收音机上的“预选”按钮，操作人员可快速、简单地执行测试程序。该仪器提供了具有“合格/不合格”指示的“高/低”限值比对模式，提供了测试一致性，可提高制造测试应用中的质量和效率。
Fluke
电话：010-6512-3435
省略
面向高速串行数据的13GHz测试方案
该13GHz测试系统由SDAl3000串行数据分析仪、D13000PS有源差分探头和一套创新的调试和分析工具组成，由于13GHz的带宽、40GS/s的采样率及]OOMpts/ch的内存，SDAl3000可以在开发过程中调试极具挑战性的物理层问题，为针对下一代串行数据标准执行一致性测试提供了完美的解决方案，如FB-DIMM、光纤通道、SAS、SATA、InfiniBand和PCI-Express。调试工具包括眼图违规定位程序和1SI(码间干扰)曲线，可以了解哪个位或哪种位组合导致的错误最多，其他工具包括PJ(周期性抖动)分类功能，帮助工程师了解给总
抖动带来的周期性抖动最多的来源，Eye Doctor、Wavescan和8b/10b解码和搜索等功能进一步增强了SDAl3000的串行数据解决方案。
LeCroy
电话：010-8280-0318
省略
Agilent UsB DAQ家族推出更多独立型和模块化解决方案
Agilent DAQ家族集多功能DAQ和数字输入/输出装置于一体，既可独立使用，也可作为模块使用。当在Agilent U2781A模块化主机中使用时，可扩展到384个通道。主机能装入不同功能的模块，从而帮助用户实现各种装置和应用的同步。
Agilent USB DAQ家族包括：Agilent U2500A系列同时采样多功能DAQ装置，它最适合对相位敏感的应用，Agilent U2300A系列多功能DAQ装置，它提供每通道达3Mpts/s的高采样率，最适合要求电参数和物理参数测量的机电应用，Agilent U2100A和U2600A系列隔离数字=输入/输出装置，它最适合与各种传感器及执行器一起工作，以实现完美的机器控制与自动化；Agilent U2781A6槽模块化仪器主机为U2300，U2500和U2800系列模块提供通道扩展，Agilent U 2802A热偶输入装置与U2355A/U2356A DAQ模块一起进行温度测量。
Agilent Technologies
电话：800-810-0189
省略
M-Type 1GHz示波器使设计验证更快捷
新推出的这两款M-Type 1GHz示波器在1GHz带宽仪器中提供了极高的信号保真度、完整的测量功能和优异的原始性能。每台示波器标配完善的一系列分析工具，包括WaveScan高级搜索和分析功能、WaveStream快速查看模式和独特的文件管理和报告编制工具LabNotebook。
M-Type示波器分成两种型号：WaveSurfer 104 MXs和WaveRunner104MXi。WaveRunner MXi具有10GS/s的最高采样率及12.5Mpts/ch的标配存储器(采用通道复用时可以达到25Mpts/ch)WaveSurfer MXs在每条通道上提供了5GS/s的采样率及10Mpts/ch的存储器，此外，所有M-Type示波器都兼容选配的低速串行触发，其解码软件可以帮助工程师使用易读的透明重叠、搜索/放大功能和表格显示功能，迅速分析I2C、SPI、UART、RS-232、CAN、LIN和FlexRay协议。
LeCroy
电话：010-8280-0318
省略
计算机及外设
PIC Express接口高速图像采集卡PCle-RTV24
PCIe-RTV24是基于PCI Express技术的高速图像采集卡，能提供PCIExpress×1传输速度、4通道输出，与现有PCI接口完全兼容的软件层。它具备4个独立的图像处理IC，模拟方式的图像采集速度达到每通道每秒30帧，支持彩色RGB24、RGBl6与灰阶图像数字输出格式，可读取一般混合式模拟彩色(如：PAL、NTSC)或黑白(如：CCIR、EIA)视讯信号，并提供4CIF、CIF及QCIF等图像分辨率格式，画面不失真。在图像功能之外，凌华PCIe-RTV24图像采集卡还提供4个TTL(数字集成电路)输出、输入及Watch dog定时器，可用于灯源控制。
凌华科技
电话：010-5885-8666
省略
宽温级微型主板
FixBoard-800E能够在-40～+80℃宽温级的环境中稳定运行。其支持1.8GHz的Intel Pentium M uFCPGA478CPU，也可搭配板载IGIIz的Intel超低电压Celeron M CPU，FSB400MHz或1.4GHz的Intel低电压Pentium M CPU；芯片组采用了Intel852GM+Intel ICH4，支持DDR200/266 SDRAM，最高IGB。
FixBoard-800E支持独立双显示功能，显示芯片为Intel852GM集成，最大支持64MB UMA显存。LCD显示可支持18/36 bit LVDS，最高分辨率为1400×1050，CRT显示可支持分辨率1920×1440。
FixBoard-800E带有6个USB2，0接口，2×RS-232/422/485接口，4×RS-232(通过子板SCDB-1293)，1×PCI，1×PC/104&PC/104Plus接口，方便用户自行扩展多种外接功能组件。
ARBOR中国
电话：0755-8343-8567
省略
基于InteL core2 Duo的ETX模块
ETX-NR667符合最新ETX3.02规格，增加了两个SATA端口连接器，可以与早期ETX版本完全兼容。ETX-NR667的CPU可以为ULV IntelCeleron或者Intel Core2 Duo，ETX-NR667具备可支持高达2GB DDR2内存模块的SODIMM插槽。图形支持功能包括单或双通道24位LVDS，AnalogCRT和电视输出(SDTV and HD7V)，ETX-NR667提供一个双端口SA了A控制器，同时支持一个10/100BASE-T以太网络端口，一个PATA EIDE控制器，4个USB 2.0端口，2个串行端口，1个并行端口(SPP/ECP/EPP)，1个PS/2键盘，鼠标，1个AC97音效，以及电源管理功能。ETX-NR667可以支持PCI和ISA，其他嵌入式功能包含Watchdog控制器，RS-232终端以及CMOS EEPROM备份，以防BIOS设定在电力不足时数据失。
此外，ETX-NR667可支持windows XP，Windows XPEmbedded，Linux和Vxworks等软件平台。
凌华科技
电话：010-5885-8666
省略
软件
面向DSP设计的ESL综合流程技术
DSP软件现在可支持FPGA器件，提供高级建模和硬件抽象，能转为RTL的约束限制(constraint-driven)算法综
合，以及为性能、占用面积和多通道化等特性提供系统性优化功能。DSP和FPGA架构的结合有助于设计人员轻松快速地捕获多速率DSP算法。DSP还适用于无线算法设计，数字RF/IF处理、FEC(正向纠错)与数字多媒体(音频和视频)加密以及高性能计算等开发FPGA应用。DSP的矢量支持功能可显著简化多通道无线算法，以及MIMO、视频、雷达和安全应用等多天线算法的创建。通过这些新功能，用户可以将复杂的无线算法(例如WiMAX、802.11a/b/g/n和DVB等标准)快速地描述、验证以及实施到硬件当中。
Synplicity
电话：021-6426-7766
省略
用于高亮度LED设计的在线设计工具
WEBENCH在线设计工具可协助工程师快速筛选二百多款高亮度LED。采用这一系统设计工具，工程师键入设计所要求的大小和效率，就能模拟有关电路的动态特性进行模拟测试，例如启动、稳态、脉冲宽度调制(PWM)光暗控制以及线路瞬态等。经过几分钟的最后微调之后，“建模快线”功能便会为用户编列一份有关LED系统所需的物料清单，而且还可快速完成包含LED，个人电脑电路板、驱动器集成电路及无源元件在内的客户定制化模型套件。
National Semiconductor
电话：021-5206-2288
省略
下一代Wind Rivet商用级Linux平台
面向嵌入式设备软件优化的下，代Wind River Linux平台基于2.6.21Linux内核，为用户提供一个采用eross-build架构环境的基于标准的Linux平台，还专门为用户提供了对64位应用的支持，包括能够支持各种架构下用于内核和用户空间调试的工具等，新的Wind River Linux平台还增加了更多的BSP (B0ard supportPackages)支持，包括用于Wind RiverReal-Time Core for Linux的各种BSP等，新的平台将提供一整套适用于未来商用级嵌入式Linux参考的行业标准。
Wind River
电话：010-6439-8185
httpp://省略
互联网收音机参考设计
RadioPro是一款Wi-Fi互联网收音机参考设计，它基于UniFi单芯片Wi-Fi技术。RadioPro无须PC即可通过Wi-Fi提供互联网无线电广播，并通过一个专门的互联网无线电广播门户网站支持10000多个无线电台，另外其软件可升级。
RadioPro基于CSR公司的两种低功耗芯片：一个是UniFi，它是CSR公司的单芯片Wi-Fi解决方案，另一个是多媒体应用处理器(MAP)，它是由RISe处理器、DSP和立体声编解码器高度集成的芯片。RadioPro利用CSR公司的UniFi-I芯片并通过Wi-Fi接入点来连接专门的互联网无线电广播门户网站。RadioPro的低功耗设计可使一块1500mAH的电池实现长达25小时的使用时间，从而实现真正的便携式互联网无线电产品。
CSR
Emaii：sales＠
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晶圆厂设计工具包FDK
Cadence Virtuoso技术有助于加速模拟、混合信号和RF器件的精确芯片设计。FDK能够在设计中发挥UMe65nm工艺和Cadence Virtuoso平台的高级功能，Cadence Virtuoso解决方案5和UMC的65nmRF FDK能够对高速发展的IC市场中的设计师提供支持，例如无线通信等。这些技术为时下数字和混合信号设计前所未有的紧密结合提供了高级工艺。
Cadence公司
电话：010-8287-2200
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AMIS-49200参考设计和评估工具包
AMIS-49200参考设计和评估工具包使Fieldbus H1及Profibus PA用户能够将AMIS-49200介质连接单元(MAU)轻松整合进他们的设计中。
AMIS-49200参考设计和评估工具包符合基金会现场总线(FF)要求，在总线布线和实际测量装置之间提供物理接口，针对工业流程自动化应用，尤其是基于FF规格FF-816(31.25Kb/s物理层轮廓规范)的FF H1设备Type 11l和Type112。FF是一种全数字双向通信系统，用于本质性安全传感器率计算机的应用。此种应用中，数据分布和传输、控制环路的完整及整合不同控制系统的能力非常关键。典型应用包括闭环连续控制、序批、高速流程自动化、信息整合、配方管理，数据采集、系统兼容及网络整合。
AMI Semiconductor
Email：021-5407-6116
省略
低成本的CAP可定制微控制器入门级开发工具包
AT91CAP是一种基于微控制器的系统级芯片，内置了高速内存，带有众多外设和接口以及一个金属可编程(MP)模块。AT91CAP9A-STK入门包基于单一的PCB板，含有以AT9lCAP9SARM926EJ-S为基础的微控制器，64MB SDRAM应用内存、512MBNAND闪存、高达8MB的DataFlash(选件)，并提供支持以太网、USB控制器和USB器件、带触屏功能的1/4 VGALCD显示屏、SD卡，4个模拟输入和耳机等的各种外部接口，以及一块作为承载主体的Altera Stratix 2EP2S15F484FPGA和配套的EPCSl6串行配置存储器。板卡上的AT91CAP9S具有64个通用I/O连接，而其卜的FPGA则有两组64个I/O的外设组件。此外，通过ICE-JTAG接口和USB-Blaster-JTAG接口，就可以进行调试。CAP入门工具包还含有AT73C224和AT73C239芯片，用于电源和电池管理。
Atmel Corporation
[关键词]集成电路；失效分析；技术
中图分类号：TN43 文献标识码：A 文章编号：1009-914X（2014）24-0105-01
1.集成电路失效分析步骤
集成电路的失效分析分为四个步骤。在确认失效现象后，第一步是开封前检查。在开封前要进行的检查都是无损失效分析。开封前会进行外观检查、X光检查以及扫描声学显微镜检查。第二步是打开封装并进行镜检。第三步是电性分析。电性分析包括缺陷定位技术、电路分析以及微探针检测分析。第四步是物理分析。物理分析包括剥层、聚焦离子束（FIB）、扫描电子显微镜（SEM）、透射电子显微镜（TEM）以及VC定位技术。通过上述分析得出分析结论，完成分析报告，将分析报告交给相关技术人员。相关技术人员根据相应的缺陷进行改进，以此来实现对集成电路失效分析的意义。
2.无损失效分析技术
所谓无损失效分析，就是在不损害分析样品，不去掉芯片封装的情况下，对该样品进行失效分析。无损失效分析技术包括外观检查、X射线检查和扫描声学显微镜检查。在外观检查中，主要是凭借肉眼检查是否有明显的缺陷，如塑脂封装是否开裂，芯片的管脚是否接触良好等等。X射线检查则是利用X射线的透视性能对被测样品进行X射线照射，样品的缺陷部分会吸收X射线，导致X射线照射成像出现异常情况。X射线检测主要是检测集成电路中引线损坏的问题，根据电子器件的大小及电子器件构造情况选择合适的波长，这样就会得到合适的分辨率。而扫描声学显微镜检测是利用超声波探测样品内部的缺陷，主要原理是发射超声波到样品内部，然后由样品内部返回。根据反射时间以及反射距离可以得到检测波形，然后对比正常样品的波形找出存在缺陷的位置。这种检测方法主要检测的是由于集成电路塑封时水气或者高温对器件的损坏，这种损坏常为裂缝或者是脱层。相对于有损失效分析方法的容易损坏样品、遗失样品信息的缺点，无损失效分析技术有其特有的优势，是集成电路失效分析的重要技术。
3.有损失效分析技术
3.1 打开封装
有损失效分析首先是对集成电路进行开封处理，开封处理要做到不损坏芯片内部电路。根据对集成电路的封装方式或分析目的不同，采取相应的开封措施。方法一是全剥离法，此法是将集成电路完全损坏，只留下完整的芯片内部电路。缺陷是由于内部电路和引线全部被破坏，将无法进行通电动态分析。方法二是局部去除法，此法是利用研磨机研磨集成电路表面的树脂直到芯片。优点是开封过程中不损坏内部电路和引线，开封后可以进行通电动态分析。方法三是全自动法，此法是利用硫酸喷射来达到局部去除法的效果。
3.2 电性分析
3.2.1 缺陷定位
定位具体失效位置在集成电路失效分析中是一个重要而困难的项目，只有在对缺陷的位置有了明确定位后，才能继而发现失效机理以及缺陷的特性。缺陷定位技术的应用是缺陷定位的关键。Emission显微镜技术、OBIRCH（Optical Beam Induce Resistance Change）技术以及液晶热点检测技术为集成电路失效分析提供了快捷准确的定位方法。Emission显微镜具有非破坏性和快速精准定位的特性。它使用光子探测器来检测产生光电效应的区域。由于在硅片上发生损坏的部位，通常会发生不断增长的电子-空穴再结合而产生强烈的光子辐射。因而这些区域可以通过Emission显微镜技术检测到。OBIRCH技术是利用激光束感应材料电阻率变化的测试技术。对不同材料经激光束扫描可测得不同的材料阻值的变化；对于同一种材料若材料由于某种因素导致变性后，同样也可测得这一种材质电阻率的变化。我们就是借助于这一方法来探测金属布线内部的那些可靠患。液晶热点检测是一种非常有效的分析手段，主要是利用液晶的特性来进行检测。但液晶热点检测技术的要求较高，尤其是对于液晶的选择，只有恰当的液晶才能使检测工作顺利进行。液晶热点检测设备一般由偏振显微镜、可以调节温度的样品台以及控制电路构成。在由晶体各向异性转变为晶体各向同性时所需要的临界温度的能量要很小，以此来提高灵敏度。同时相变温度应控制在30-90摄氏度的可操作范围内，偏振显微镜要在正交偏振光下使用，这样可以提高液晶相变反应的灵敏度。
3.2.2 电路分析
电路分析就是根据芯片电路的版图和原理图，结合芯片失效现象，逐步缩小缺陷部位的电路范围，最后是利用微探针检测技术来定位缺陷器件，从而达到对于缺陷器件定位的要求。
3.2.3 微探针检测技术
微探针的作用是测量内部器件上的电参数值，如工作点电压、电流、伏安特性曲线等。微探针检测技术一般是伴随电路分析配合使用的，两者的结合可以较快的搜寻失效器件。
3.3 物理分析
3.3.1 聚焦离子束（FIB）
聚焦离子束就是利用电透镜将离子束聚焦成为微小尺寸的显微切割器，聚焦离子束系统由离子源、离子束聚焦和样品台组成。聚焦离子束的主要应用是对集成电路进行剖面，传统的方法是手工研磨或者是采用硫酸喷剂，这两种方法虽然可以得到剖面，但是在日益精细的集成电路中，手工操作速度慢而且失误率高，所以这两种方法显然不适用。聚焦离子束的微细精准切割结合扫描电子显微镜高分辨率成像就可以很好的解决剖面问题。聚焦离子束对被剖面的集成电路没有限制，定位精度可以达到0.1um以下，同时剖面过程中集成电路受到的应力很小，完整地保存了集成电路，使得检测结果更加准确。
3.3.2 扫描电子显微镜（SEM）
扫描电子显微镜作为一种高分辨率的微观仪器，在集成电路的失效分析中有着很好的运用。扫描电子显微镜是由扫描系统和信号检测放大系统组成，原理是利用聚焦的电子束轰击器件表面从而产生许多电子信号，将这些电子信号放大作为调制信号，连接荧光屏便可得到器件表面的图像。对于不同层次的信号采集可以选用不同的电子信号，那样所得到的图像也将不同。
3.3.3 透射电子显微镜（TEM）
透射电子显微镜的分辨率可以达到0.1nm，其大大优于扫描电子显微镜。集成电路的器件尺寸在时代的发展中变得越来越小，运用透射电子显微镜可以更好的研究产品性能，在集成电路失效分析中，透射电子显微镜可以清晰地分析器件缺陷。透射电子显微镜将更好地满足集成电路失效分析对检测工具的解析度要求。
3.3.4 VC定位技术
前文讲述的利用Emission/OBIRCH/液晶技术来定位集成电路中的失效器件，在实际应用过程中热点的位置往往面积偏大，甚至会偏离失效点几十个微米，这就需要一种更精确的定位技术，可以把失效范围进一步缩小。VC（VoltageContrast）定位技术基于SEM或FIB，可以把失效范围进一步缩小，很好地解决了这一难题。VC定位技术是利用SEM或者FIB的一次电子束或离子束在样品表面进行扫描。硅片表面不同部位具有不同电势，表现出来不同的明亮对比度。VC定位技术可以通过检测不同的明亮对比度，找出异常亮度的点，从而定位失效点的位置。
4.总结
我们认识了常用的集成电路失效分析技术和方法，而更深刻地了解各种技术的应用还需要在实际的分析工作当中积累经验，再认识再提高。
半导体技术极其丰富多彩，身陷其景，会有“不识庐山真面目，只缘身在此山中”的感触。为此，既要“近赏细微”，又要“临空浏览”，以期从中领悟到一些哲理。
本演讲根据半导体技术“由简入繁”、又“化繁为简”的螺旋式发展史事，探讨主流半导体技术的发展哲理，供大家参考讨论。
发展历程
根据IC Knowledge的归纳，可以把集成电路(IC)的发展历程划分为四个阶段：即奠定基础、激情创新、昂首阔步和走向成熟，每阶段大约20年。
“奠定基础”发生于上世纪四五十年代，此阶段发明或提出了晶体管、集成电路、平面工艺以及Si材料、CMOS等涉及器件“物理基础”、“基本结构”、“制造工艺”和“集成方法”等一系列基础技术和方法。
“激情创新”发生于上世纪六七十年代，主要是产业技术扩散阶段。诞生了EPKOM、DSP、DRAM、MPU等。当时有两个非常重要的发现，一个是等比例缩小，推动器件小型化；另一个是摩尔定律，推动器件集成化；这两个堪称是半导体技术的发展引擎。这时候制造装备(可视为晶圆制造的“基因”)业开始兴起，设计工具也涌现了出来。
“昂首阔步”发生于上世纪八九十年代，在此之前，大方向都已经定了，这时晶圆尺寸、集成规模、产业规模…等等只是顺续扩大，而产业技术则按“路线图”发展，即在已知规律下推测未来的发展，是一种逻辑的延伸。这里要指出的是，虽然第一代CMOS DRAM是在1983~1984年间推出的，但是CMOs罩在奠定基础阶段就已经“发明”了。
“走向成熟”阶段大致从2000年开始到CMOs技术的“终结”。近年来，在认识上大多共识到硅技术寿限大约在2020年前：而在实践中则从“拜速度论”向“应用为王”思路转移，发生了一些重大事件，例如出现了“双核年”，Fabless(无生产线的公司)模式由怀疑到肯定并成为产业亮点等等。
发展哲理
从发展的前两个历程，我们可以看到IC产业“确定了器件缩小(等缩比)、集成做大(摩尔定律)两大引擎，即如何做到又小又好!”而后两个历程则“全部基于冯・诺依曼范式和固体能带论”，“抬头拉车”，阔步向前，“即如何化繁为简，做得规则、标准!”
因此，从纯产业技术这个角度看，我们可以把这个产业的“发展哲理”归纳为：“小”就是美(目标)，崇尚“简约”(使命)，倚重“左脑”(思路)三大特点。
“小”就是美
可从机制、性能、成本、功能、融合等五个角度来看。机制是比例缩小，体现了“小(尺寸)与大(规模)螺旋式前进，低(价格)与高(性能)辩证统一”。成本无论从每MIPS成本，或每个晶体管的成本看，都在大幅度下降。芯片功能越来越丰富，尤其是现在的移动多功能装置，具有通信以外、越来越多的功能。融合的前景巨大，现在是硬件与软件融合，今后将是产业的融合。
崇尚“简约”
体现在材料、结构、制程、设计和应用五个方面。大自然恩赐了人类一种奇异的材料，它既便宜又丰富，既简单又复杂。在MOS结构中，“两点一线”构成了一个有源器件，并兼具“低进高出”的优异特性：而CMOS结构则具有“功”尽其用，“耗”节其尽的特点。制程采用基于平台的“印刷”。产品则是基于平台的设计，即把数以万计的以“实”元件为基础的系统设计，简化为按某些约束条件下的“虚”元件的“即插即用”“堆积”。应用方面，由于IC集成的深度、广度与成熟度的演进，使得终端产品和应用本身都大大地“简约化”了，例如手机集成度越来越高，并把“方案”都“集成”进去，不仅仅做手机简单一出现了“山寨”现象，而且使用也“傻瓜”化了。
倚重“左脑”
左脑负责理性推理，属于普通脑；右脑负责感性跳跃，是天才脑。IC发展倚重的是“左脑”，按照逻辑推理思路发展，可以体现在核心结构、核心工具和核心应用(计算模式)三部分。核心结构就是如何把晶体管的特征尺寸做小，原来认为32nm是一个坎，但IBM在E22nm时仍然采用传统的平面栅结构；而把晶体管尺寸缩小的核心工具(图形转移工具)依然依赖于光学方法，遵循简单的瑞利公式：至于核心应用则涉及到计算模式问题，由于冯，诺依曼范式积累了太多的人类知识，不会被轻易抛弃，所以一定会继续延用。
当然，技术革新仍然没有停止，只是这些革新都是在原有“基本模式”中的螺旋前进。例如核心结构没有突破MOS结构，过去是金属铝栅，现在是金属铪栅，是一种在原有模式上的螺旋式上升。其他也类似，都是基于旧原理上的逻辑延伸和传承更新。
几点启示
从发展哲理中看成功的诀窍。即基于最普通的材料、最完美的匹配：采用最巧妙的“缩扩”实现了最辨证的技术与经济“轮回”。
从发展哲理中思考颠覆性突破。Si-CMOS由于本身的物理限制。当它在缩小进程中变得愈来愈繁而又不能“化简”时，就意味着基于CMOs结构在逻辑上不能延伸了，这时就要发挥天才脑(右脑)的作用，寻找颠覆性突破。但是，目前已涌现的“新兴器件”既不成熟又难与Si-CMOS性／价全面匹敌，短时期内还看不到全面替代Si-CMOS的可能。而冯・诺依曼范式也仍将主导SoC设计，这就是说，我们现在还要尽力延伸并充分运用硅技术。主要体现在下面两点。
第一，嵌入设计成为延伸创新主流。长期以来，设计业的增速是整个IDM(集成设备制造商)的4倍，整个半导体业的3倍。即使在半导体业非常箫条时期，设计业仍然是正增长，这就使得Fabless成了2008年半导体产业的最大亮点，有3家Fabless公司进入了半导体的前20名，高通则进入了前8名。
几年前有人认为，CPU和DSP作为一个标准产品将要死亡，而实际上从数量上看，CPUSgDSP等通用产品确实比嵌入式芯片的数量少得非常多。因此有人大胆预测，到2028年，整个半导体市场规模将达到1万亿美元，其中绝大部分的芯片将用于嵌入式系统。
第二，“嵌入”应用离不开SiP／3D封装。就电子装置小型化而言，包括我们现在的手机，IC／SoC只占整个体积的很小一部分，其他的大多数零件(如传感器件、光学元件等)的小型化都要靠封装来解决。因此，2005年国际半导体技术发展路线图提出了在“More Moore(延伸摩尔定，律)”的同时，要关注“More than Moore(超越摩尔定律)”即SiP(系统封装)／3D(三维封装)的发展。
【摘要】：微电子技术是建立在以集成电路为核心的各种半导体器件基础上的高新电子技术，特点是体积小、重量轻、可靠性高、工作速度快，微电子技术对信息时代具有巨大的影响。微电子产业是基础性产业,微电子技术是高科技和信息产业的核心技术。微电子技术具有极强的渗透性,发展速度非常快,与其他学科相结合后会产生出一系列崭新的学科和重大的经济增长点,对科技发展和国民经济都做出巨大的贡献。本文简单分析微电子发展过程及集成电路的发展前景。
【关键词】：微电子集成电路纳米电子
中图分类号： TN4 文献标识码： A
随着科技的迅猛发展，信息技术，电子技术，自动化技术及计算机技术日渐融合，成为当今社会科技领域的重要支柱技术，任何领域的研发工作都与这些技术紧密联系，而他们的相互交叉，相互渗透，也越来越密切。
微电子技术是现代电子信息技术的直接基础，它的发展有力推动了通信技术，计算机技术和网络技术的迅速发展，成为衡量一个国家科技进步的重要标志。美国贝尔研究所的三位科学家因研制成功第一个结晶体三极管，获得1956年诺贝尔物理学奖。晶体管成为集成电路技术发展的基础，现代微电子技术就是建立在以集成电路为核心的各种半导体器件基础上的高新电子技术。集成电路的生产始于1959年，其特点是体积小、重量轻、可靠性高、工作速度快。衡量微电子技术进步的标志要在三个方面：一是缩小芯片中器件结构的尺寸，即缩小加工线条的宽度；二是增加芯片中所包含的元器件的数量，即扩大集成规模；三是开拓有针对性的设计应用。
大规模集成电路指每一单晶硅片上可以集成制作一千个以上的元器件。集成度在一万至十万以上元器件的为超大规模集成电路。国际上80年代大规模和超大规模集成电路光刻标准线条宽度为0．7一0．8微米，集成度为108 。90年代的标准线条宽度为0．3一0．5微米，集成度为109。集成电路有专用电路(如钟表、照相机、洗衣机等电路)和通用电路。通用电路中最典型的是存贮器和处理器，应用极为广泛。计算机的换代就取决于这两项集成电路的集成规模。
存贮器是具有信息存贮能力的器件。随着集成电路的发展，半导体存贮器已大范围地取代过去使用的磁性存贮器，成为计算机进行数字运算和信息处理过程中的信息存贮器件。存贮器的大小(或称容量)常以字节为单位，字节则以大写字母B表示，存贮器芯片的集成度已以百万位(MB)为单位。目前，实验室已做出8MB的动态存贮器芯片。一个汉字占用2个字节，也就是说，400万汉字可以放入指甲大小的一块硅片上。动态存贮器的集成度以每3年翻两番的速度发展。
中央处理器(CPU)是集成电路技术的另一重要方面，其主要功能是执行“指令”进行运算或数据处理。现代计算机的CPU通常由数十万到数百万晶体管组成。70年代，随着微电子技术的发展，促使一个完整的CPU可以制作在一块指甲大小的硅片上。度量CPU性能最重要的指标是“速度”，即看它每秒钟能执行多少条指令。60年代初，最快的CPU每秒能执行100万条指令（常缩写成MIPS)。1991年，高档微处理器的速度已达5000万一8000万次。现在继续提高CPU速度的精简指令系统技术(即将复杂指令精减、减少)以及并行运算技术(同时并行地执行若干指令)正在发展中。在这个领域，美国硅谷的英特尔公司一直处于领先地位。此外，光学与电子学的结合，成为光电子技术，被称为尖端中的尖端，为微电子技术的进一步发展找到了新的出路。美国《时代》杂志预测：“21世纪将成为光电子时代。”其主要领有激光技术、红外技术、光纤通信技术等。
微电子学给人类带来了半个世纪的繁荣。目前国际上集成电路生产线已普遍采用8圆片，0.35um工艺。我国 集成电路集成电路的大生产水平发展也很快。1995年已经达到了6'1.2um的水平，IC产量到2000年可望达到年产10亿块。1995年4月，中科院微电子中心已开发出0.8um的CMOS工艺，在5.0×5.7mm 面积上集成了26000只晶体管、输出管脚数为72，制成了通用的模糊控制集成块。
集成电路IC实际上完成了芯片级的电子组装，有着极高的互联密度。那么，能不能将高集成鹊胨SI/VLSI/ULSI（大规模/超大规模/特大规模集成电路）和ASIC/FPGA/EPLD（专用IC/现场可编程门阵列/电可擦除可编程的逻辑器件）等组装在一起实现集成电路的功能集成呢？这就是SMT（表面安装技术）、HWSI（混合大圆片规模集成技术）和3D（三维组装技术）。这些技术，推动着电子设备和产品继续向薄轻短小发展，在片状元件的小型化和自动安装设备所能处理的元件尺寸已濒临极限的今天，起着关键的作用。进入90年代，代表性技术则轮到了MCM，人称多芯片组装时代，到2000年即下世纪初，将是WSI/HWSI/3D时代！WSI是将复杂的电子电路集成在一个大圆片上。将IC芯片，MCM和WSI进行三维迭装的3D组装突破了二维的限制，使组装密度更上一层楼。
近几十年来，电子计算机已历经了几代的更迭，而代代更迭都是以存储或处理信息的基本电子学单元的尺度变化为标志的。从80年代开始，科学家开始探索特征尺寸为纳米量级的电子学，纳米电子学主要研究以扫描隧道显微镜为工具的单原子或单分子操纵技术。这些技术都有可能在纳米量级进行加工，目前已形成纳米量级的、信息存储器，存储状态已维持一个月以上，希图用此技术去制作16GB的存储器。德国的福克斯博士等制出了原子开关，达到了比现今芯片高100万倍的存储容量，获得了莫里斯奖。量子力学告诉我们，电子与光同时都具有粒子波的特性，今天的微电子学和光电子器件将缩到。0.1线宽，电子的波动性质再也不能忽视，把电子视为一种纯粹粒子的半导体理论基础已经动摇。这时电子所表现出来的波动特征和拥有的量子功能就是纳米电子学的任务。纳米电子学有更多诱人之处。科学家们已经预言，纳米电子学将导致一场电子技术的革命！
关键词：集成电路；布图设计；保护
现代信息技术以计算机技术为基础，分为软件技术和硬件技术。在硬件技术中,集成电路技术则是最为重要的核心技术。早在20世纪70年代末,美国就曾有人断言："像现在OPEC(石油输出国组织)左右世界一样,将来掌握了半导体技术的国家将左右整个世界。"正因为如此,各国对于集成电路的开发都给予了足够的重视。但与此同时,也有一些厂商采取非法手段获取他人技术秘密或者仿制他人产品,以牟取暴利。我国政府曾积极参与起草世界知识产权组织《关于集成电路的知识产权条约》（以下简称条约）,并努力促成了该条约通过。中国加入世界贸易组织后,《与贸易有关的知识产权协议》（以下简称TRIPS）就对中国有了约束力,其中也包括集成电路知识产权的法律保护。
一、条约的主要内容
1、保护对象
保护对象为集成电路布图设计。受保护的布图设计必须具备原创性。条约中所规定的原创性不同于著作权法中的原创性，条约就此作了专门解释。具有原创性的布图设计，即"该布图设计是创作者自己的智力劳动成果，并且在其创作时在布图设计的创作者和集成电路制造者中不是常规设计"。
2、布图设计权利人的有关权利
（1）复制权
复制受保护的布图设计的全部或其任何部分，无论是否将其结合到集成电路中。
（2）进口、销售或者以其它方式供销
为商业目的进口、销售或者以其它方式供销受保护的布图设计或者其中含有受保护的布图设计的集成电路。
3、布图设计权利人的有关权利的限制
（1）合理使用
为私人目的或为了分析、评价、研究或者教学而复制受保护的布图设计，或者在此基础上创作出新的具有原创性的布图设计的行为不视为侵权，也不需要权利人许可。
（2）反向工程
第三者在评价或分析受保护的布图设计的基础上，创作符合第三条第（二）款规定的原创性条件的布图设计（拓朴图）（"第二布图设计（拓朴图"））的，该第三者可以在集成电路中采用第二布图设计（拓朴图），或者对第二布图设计（拓朴图）进行第（一）款所述的行为，而不视为侵犯第一布图设计（拓朴图）权利持有人的权利。
（3）非自愿许可
《关于集成电路知识产权条约》规定，任何缔约方均可在其立法中规定其行政或者司法机关有可能在非通常的情况下，对于第三者按商业惯例经过努力而未能取得权利持有人许可并不经其许可而进行复制、进口、销售等行为，授予非独占许可（非自愿许可）。
（4）善意侵权
《条约》规定，对于采用非法复制的布图设计（拓扑图）的集成电路而进行的该款所述的任何行为，如果进行或者指示进行该行为的人在获得该集成电路时不知道或者没有合理的依据知道该集成电路包含有非法复制的布图设计（拓扑图），任何缔约方没有义务认为上述行为是非法行为。
（5）权利用尽
《条约》的权利用尽条款规定，任何缔约方可以认为，对由权利持有人或者经其同意投放市场的受保护的布图设计（拓扑图）或者采用该布图设计（拓扑图）的集成电路，未经权利持有人的许可而进行该款所述的任何行为是合法行为。
4、国民待遇原则
即任何一个缔约国在布图设计的知识产权保护方面给予与国国民待遇，也同样给予其他缔约国的国民。
5、布图设计保护期限
条约规定保护集成电路布图设计的最低期限为8年。
6、保护形式
缔约国可以通过专门法律或者通过关于著作权法、专利法，禁止不正当竞争的法律，或者通过上述法律的结合来保护集成电路布图设计。
7、争议的解决
通过协商或者其他方式使有争议的缔约国之间达成和解，若不能和解，则由缔约国大会召集专家小组，由该小组起草解决争议的参考性报告，大会基于小组报告和对条约的解释，向争议各方提出建议。
8、保留
条约第13条规定：对本条约不得做任何保留。
二、TRIPS有关集成电路布图设计的规定
与条约相比，TRIPS对集成电路布图设计的保护更加严格，主要表现在以下几个方面：
1、保护范围扩大
缔约方应将未经权利人同意而进行的下述行为认作是非法行为 ，即为了商业目的而进口、出售、或销售受到保护的布图设计，一种采用了受到保护的布图设计的集成电路，或者一种采用了上述集成电路的产品，只要它仍然包括一个非法复制的布图设计。
2、善意侵权要付费
善意侵权人接到足够清楚的通知，被告知该布图设计是非法复制的之后，侵权人对于在此之前已经获得的库存件或预定件可以进行上述行为中的任何一种，但是却有义务向权利所有者支付一定的费用。
3、保护期限延长
布图设计的保护期限不得短于自注册申请日起或者自在世界上任何地方进行的首次商业性使用之日起的10年。
如果缔约方不要求以注册作为提供保护的条件，对布图设计的保护期限不得短于自在世界上任何地方进行的首次商业性使用之日起的10年。
三、集成电路布图设计不能用专利法、著作权法保护的原因
1、集成电路布图设计不能用专利法保护的原因
无论在哪个国家,其专利法都要求受保护的技术方案必须具备实用性、新颖性和创造性。集成电路产品对于实用性和新颖性要求都不会有太大问题,问题的症结在于创造性。
（1）集成电路的制造者和使用者,在通常情况下最为关心的是集成电路的集成度或者集成规模的大小，如果就这种产品作为一个整体去申请专利,未必都能通过创造性审查。
（2）在集成电路设计中常常采用一些现成的单元电路进行组合。而在专利审查中,组合发明要通过创造性审查,必须取得对该发明创造所属技术领域的普通技术人员来说是预先难以想到的效果。
确实具备创造性的集成电路产品仍可申请专利以寻求保护。
2、集成电路布图设计不能用著作权法保护的原因
用著作权法保护集成的电路布图设计的难度有：
（1）集成电路布图设计的价值主要体现在实用功能上,这已超出著作权法所保护的范围。
（2）著作权法对所保护的对象没有新颖性和创造性要求,这种保护模式不利于技术进步和创新。
（3）依照著作权法,实施"反向工程"的行为将被禁止。未经著作权人同意,任何人不得随意复制他人作品。
3、集成电路布图设计不能用其它知识产权法保护的原因
在现有的知识产权法框架中,还有实用新型法、外观设计法、商标法、反不正当竞争法、商号或企业名称保护法、原产地名称保护法等，在现有的诸多知识产权法律门类中,实用新型法虽然是保护技术产品的法律,但是绝大多数国家和地区(法国、澳大利亚等国除外)的法律都要求受保护的实用新型都必须是具备固定形状或者结构的产品；有的还要求实用新型也必须具备创造性。而集成电路产品的创新点往往并不体现在产品的外在结构和形状上，故从总体上看实用新型法似乎并不适合集成电路的保护。
外观设计法所保护的是产品的新颖外观。外观设计法的保护对象决无任何技术成分可言。
商标法所保护的只是特定标记与特定产品间的联系。很显然这不是集成电路保护所讨论的问题。对于集成电路而言,权利人还可将其商标使用在布图设计上。
参考文献：
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[4]争成思.知识产权论[M].北京:法律出版社,2003.
近几年，中国集成电路市场的发展情况呈现出增速放缓的迹象。以2011年和2012年为例，中国集成电路市场增速分别为9.7%和6.1%，已大大低于2010年之前年均两位数的增长速度。进入2013年，虽然在全球半导体市场复苏和国内电子信息制造业增速回升的影响下，中国集成电路市场也呈现出一定程度的上扬，但是上扬势头并不十分显著。
目前，中国已是全球最大的集成电路市场，在全球所占份额已超过了40%。在如此高的基数下，中国集成电路市场增长速度放慢亦属正常。与此同时，中国集成电路市场新的热点正不断涌现，市场格局与竞争态势也随之正在发生剧烈变化，中国集成电路市场正处在重新洗牌的关键节点上。
回顾2013年展望2014年，中国集成电路市场将继续围绕以下几大热点领域进行剧烈的变革。
一、移动互联网的普及。随着智能终端、宽带网络以及应用服务的不断完善，移动互联网正日益普及，国内的产业化进程也随之不断加快。
2013年12月4日，工业和信息化部正式发放4G牌照，这标志着中国4G时代的真正到来。而此前，国家发展和改革委员会的“组织移动互联网及第四代移动通信产业化专项的通知”，对产业链各环节的产业化做了整体部署。综观国内外，半导体市场中表现靓丽的企业，如高通、博通、展讯、锐迪科等，大多已投身于移动互联网领域。可以预测，2014年移动互联网仍将是中国集成电路市场中表现最抢眼的领域。
二、智慧城市的建设。随着国家城镇化与信息化融合战略的不断推进，“智慧城市”建设正在成为国内各级政府关注与投资的热点。
2013年，国家住房和建设部已经确定了两批共计193个地区入选“国家智慧城市建设试点名单”，随着各地在智能医疗、智能环保、智能交通、智能物流、智能安放、智能社区、智能市政等智慧城市各个应用领域重点工程建设的逐步展开，对各类有关信息获取、控制与存储、通信与传输等方面的芯片需求将迅速增长。
三、智能制造的兴起。放眼全球，“新工业革命”正悄然兴起。智能制造作为新工业革命的核心，目前正呈现爆发式发展的态势。3D打印、工业机器人、数控机床、智能仪器仪表和工业控制等诸多领域均成为当前工业与信息产业界关注的热点。智能制造对芯片的需求也已远远超出了工控机的范畴，正向各类嵌入式系统延伸。代表两化深度融合方向的智能制造，无疑将是未来国内外集成电路市场需求中新的亮点。
四、对信息安全的重视。2013年爆发的“棱镜门”事件，无疑将信息安全问题提升到了一个前所未有的高度。目前，信息安全对软硬件的要求不仅仅局限于加密芯片与加密软件，也正向全面建设国家自主可控的信息化体系过渡。在此背景下，中国集成电路企业不仅能够在信息安全相关芯片市场获得独一无二的竞争优势，更能够在立足于国产的信息化软硬件应用中获得更大的市场份额。信息安全无疑将成为2014年推动国内企业集成电路企业发展的重要契机。
在以上几大热点领域的带动下，2014年中国集成电路市场预计仍将保持整体增长的势头。同时，市场的结构性变化也将更加显著，由技术驱动转向应用牵引、由聚集消费转向面向工业的市场特征将凸显。厂商内部发展方向的重新调整和厂商之间合纵连横的重组举措将成为2014年国内外半导体业界的主旋律。
为满足集成电路方面教学和科研的需要，同济大学电子科学与技术系以985三期实验室建设、教育部修购计划两项经费所购置的设备为主体，充分整合利用本系目前已有的设备，完成了一个覆盖完整的集成电路设计平台的构建。依托同济大学第8期实验教改项目的支持，电子科学与技术系在平台的应用方面进行了有益的探索：针对本科生实验教学完成了集成电路设计系列实验课程开设；在集成电路相关科研项目中进行了实际应用，为科研工作提供了良好的支撑。
【关键词】
集成电路；设计平台；实验教学；科研
进入21世纪之后，集成电路在我国相关产业及教育领域的重要性日益凸显。2000年6月，国务院了纲领性文件《鼓励软件产业和集成电路产业发展的若干政策》（国发2000〔18号〕）[1]，明确了集成电路作为国家战略性新兴产业的地位。在其后的国家中长期科技发展规划等文件中，均将集成电路列为重要的发展方向，自此我国集成电路产业进入了蓬勃发展的时期。产业的快速发展必然需要科技和教育的配合。基于此原因，国务院科教领导小组批准实施国家科技重大专项—集成电路与软件重大专项，其后教育部、科技部决定在国内有相对优势的高等院校建立国家集成电路人才培养基地，分别于2003年、2004年及2009年分3批批准和支持20所高校进行人才培养基地的建设工作。笔者所在的同济大学为第2批建设的6所高校之一。
同济大学电子科学与技术系成立于2002年，历史较短，在集成电路方面的基础较为薄弱。但自成立之初便将集成电路设计列为最重要的教学与科研方向之一，参考国际知名高校以及国内兄弟院校的先进经验[2-4]，在课程设置等人才培养环节进行了积极的探索[5]。但是，集成电路设计强调工程设计实践，如果缺乏相应的设计平台，仅以理论知识为主，会导致培养出的学生与产业需求契合度不高。这也是诸多高校在集成电路设计的实验设置及实践环节进行教学改革和积极探索的原因[6-7]。我系也意识到亟须加强实践环节的相关建设。基于以上原因，我们充分利用985三期实验室建设、教育部修购计划两项经费的支持，在集成电路设计平台的构建方面进行了积极的尝试。
1建设方案与建设过程
1.1平台建设的基础依托985二期实验室建设、教育部修购计划两项经费为我系的教学改革提供了非常有力的支持，根据各个学科方向的统筹规划，分配约150万元用于集成电路及与系统设计相关的设备购置。购置的设备见表1、表2。除以上两部分设备之外，本系已经部分购置了与集成电路设计相关的设备，如Dell服务器、SUN工作站、各类测试与信号发生设备等。因此，我系已经初步具备了建设一个覆盖半导体器件制备与分析、集成电路设计与测试、系统级设计验证完整流程的专业实验与设计平台的基础条件。
1.2总体构想与平台规划基于上述基础硬件设备，我系在有限的场地资源中安排了专门的场地作为半导体器件与集成电路设计专业实验室，以支持集成电路设计平台的建设。将拟建设的半导体与集成电路设计专业实验室划分为4个功能区：服务器与中央控制区、集成电路设计区、集成电路分析与测试区、系统级设计与验证区。总体的规划如图1所示，功能与设备支撑概述如下。（1）服务器与中央控制区。主要空间用于放置3个机柜、承载两个机架式服务器（HP、Dell）、存储阵列（SAS15000RPM接口、初始配置7.2TB）、一个卧式服务器（超微）以及UPS电源、万兆交换机等供电和网络配件。需注意该部分噪声较大，故应与实验室其他功能区隔离。提供VPN、远程配置以及各类必要的服务，配置完整的EDA工具系统，覆盖集成电路设计全流程。（2）集成电路设计区。20个左右的工位，主要为HP工作站。具备两类工作方式：作为终端登录服务器系统使用；在服务器系统不能提供支持时独立使用。除工作站之外，配备2～3个文件柜、工具柜。（3）集成电路分析与测试区。主要功能为集成电路（晶圆、裸片、封装后芯片）的分析、测试。分析与测试系统以两套手动探针测试台（包括基座、卡盘、ADV显微镜）、超长焦金相显微镜（超长工作距离，2000倍放大）、4套微米级精确位移系统（包括探针、针臂、针座、线缆与接口）为主，并配备2台台式计算机以及信号发生器、稳压电源、逻辑分析仪1台、示波器1台，用作信号发生与记录、信号与图像采集功能。配备两个实验工具柜。（4）系统级设计与验证区。6个工位，配备2～3台计算机。考虑到面积有限，而该区功能较多，以多功能复用的方式设置工位的功能。该区的功能包括：①板级电路设计与测试。主要支撑设备为必要的计算机系统（软、硬件）。多台逻辑分析仪、示波器、信号发生器、万用表、稳压电源、必要的电子元器件及焊接设备等。②基于FPGA的系统设计。主要支撑设备为计算机系统（软、硬件）、4套Virtex-5FPGA系统。③嵌入式系统设计。主要支撑设备为计算机系统、3套VeriSOC-ARM9开发平台、多套PSoC开发套件、多套ARM开发套件、微控制器开发套件等。④集成电路系统级验证。与板级电路与测试共用各类设备。
1.3软硬件系统与设计流程构建基于新购买的存储阵列（NetApp）、服务器（DL380G7）、交换机（CISCO），并整合本系统原有的两台服务器（一台Dell机架式、一台超微立式），构成一个EDA开发服务系统。系统构建方面，我们进行了基于传统的EDA开发环境架构，以及基于虚拟化系统进行构建的两种尝试。存储结构上基于存储阵列，提供足够安全的冗余备份与保护。系统具备负载均衡功能。最终构建的系统可直接支持同一实验室内20台以上HP工作站的同时接入，并提供远程登录支持；以及通过同济大学校园网，提供外网的VPN接入支持。在硬件系统的基础上，我们安装配置了完善的EDA工具链，以提供覆盖全流程的集成电路设计支持。
2教学与科研应用
前述所构建的集成电路设计平台仅是基础的软硬件系统，如果要在实际的教学和科研工作中进行使用，尚需进行相关的课程大纲规划、实验方案设计以及实际的芯片设计检验。通过同济大学第8期实验教学改革项目的支持，我们在这些方面开展了一定的工作，主要包括以下两个方面。
2.1教学应用完成了实验方案内容建设，构建形成了一套覆盖集成电路设计全流程的实验方案，并兼顾半导体器件、集成电路测试；设计的系列实验应用于新开设的“集成电路设计实验”课程中，以丰富和扩展该门课程的实验内容，提高学生的学习积极性。该课程每周4学时，已经完成2013、2014两个学年的实验教学工作。具体的实验内容包括反相器实验（电路原理图输入、电路仿真、版图设计、版图设计规则检查及一致性检查、后仿真）、一位全加器系列试验、基本模拟电路单元设计实验、综合定制设计实验、硬件描述语言设计与验证实验（选做）、自动综合与布局布线设计实验（选做）。构建的软硬件平台，除用于集成电路设计实验课之外，亦用于电子系“半导体器件物理”“半导体工艺原理”等多门课程的实验环节，以及本科生毕业设计中。与现有的本科生各类创新活动相结合，为该类活动的人员选拔与培养、培训起到了一定的辅助作用。
2.2科研应用集成电路设计平台除用于相关的实验教学任务之外，亦可为相关的科研工作提供良好的支撑。在该平台所定义的开发环境及设计流程上，我们完成了两款65纳米工艺超大规模集成电路芯片的设计工作，其中一款已经返回，并进行了较为完整的测试，功能及性能均符合预期，芯片如图2、图3所示。这些设计很好地确证了该平台的完整性和可靠性。
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集成电路是换代节奏快、技术含量高的产品。从当今国际市场格局来看，集成电路企业之间在知识产权主导权上斗争激烈，重要集成电路产品全球产业组织呈现出跨国公司(准)寡头垄断的特征，集成电路跨国公司销售、制造、研局朝全球化方向发展。有鉴于此，当前集成电路是中国的“短腿”产业。
(一)产品研究开发至关重要。
集成电路产品研发和换代周期较短。按照摩尔定律，集成芯片上所集成的电路数目，微处理器的性能，每隔一个周期就翻一番；可比单位货币所能购买到的电脑性能，每隔一个周期就翻两番。为什么集成电路产品研发换代周期如此之短?因为芯片制造商要以最短时间，尽其所能，开发新技术，将技术标准更新换代，以实现产品性价比迅速优化，并大规模锁定消费者群体，乃至防止自身技术标准锁定的消费者、使用者群体流失到竞争厂商那儿去。由此，集成电路制造商要生存和发展，必须从销售收入之中，高比率地支出研发预算，建设研发队伍，开展研发行动。研发主要目标在于，形成具有性价比优势的技术标准和产品规格。以全球优势芯片制造商英特尔为例，近几年其研发支出占销售收入的比重一直高达13-15％，而同期相对比，即使是研发强度较高的汽车和航空器产业，其优势跨国公司的研发支出占销售收入的比重也都在5％上下。
(二)知识产权主导权上斗争激烈。
研发投入和行动是为了获取创新成果。集成电路厂商之间，在研发成果的认定、建设、保护方面，常年都是剑张弩拔，斗争异常剧烈。首先，研发成果要及时在产品市场销售地申请登记为专利、商标等知识产权；这种登记行动在步调上要早于国际市场开拓。再以英特尔公司为例，美国专利和商标局的数据显示，近几年来英特尔所获该局授权专利数目一直排在前十位，2007年获得授权数1865项，在授权巨头中排第五。其次是技术标准的认定和推广。一项技术标准的权益的表现就是一个技术专利群体。从全球个人和办公用计算机市场整体格局看，英特尔和微软拥有所谓w英特尔事实标准；为巩固这一标准的垄断地位和保持周边技术标准的优势地位，英特尔可谓不遗余力。英特尔每隔一个季度，要在美国、中国、欧洲等世界主要大市场区，选择商务中心城市，举办所谓英特尔信息技术峰会；峰会的一项重要工作就是推介英特尔的技术标准。近年推出的计算机技术标准涵盖到系统总线、PC架构、多媒体网络、无线通讯、数字家电等方面。三是知识产权的诉讼与反诉讼。作为PC机技术标准主导者，英特尔和微软两家公司几乎每年都发生诉讼与反诉讼事件，诉讼涉及的核心问题是知识产权侵权和市场垄断。近年来，就法院正式立案案件而言，英特尔的诉讼或反诉伙伴涉及美国Broadcom、超微、美国消费者群体、Transmeta、Intergraph、中国台湾威盛、中国深圳东进等；至于从2005年开始，美国AMD公司诉讼英特尔更是表明，AMD公司要正面挑战英特尔在PC机CPU芯片供应上占据多年的绝对垄断地位。
(三)重要集成电路产品全球产业组织呈现出跨国公司(准)寡头垄断的特征。
集成电路厂商要做到大规模锁定消费者群体，除在研发投入和节奏上要占优势和先机之外，还需要尽可能地将产品市场国际化。因为只有以高度国际化的市场为基础，企业才能在产品生产和销售上取得规模经济优势，才能摊薄昂贵的研发成本。全球产品市场规模的扩张和研发强度的加大又是相辅相成的。于是，对集成电路等产业来说，若以全球市场为背景，我们会看到这样一幅图景：一旦某个企业在市场份额上初占优势，它在研究开发经费的投入，在技术标准的推出和拥有，在锁定消费者步伐等方面，都会较长时间处于优势或领先的地位。全球市场份额也会朝向寡头集中，直至另一个后起之秀再凭借某些条件，逐步突破原有优势企业的寡头地位，并推动市场份额重组，乃至再次形成新的销售市场朝向单寡头或少数寡头集中的格局特征。当前集成电路产品全球的销售市场和产业组织格局充分说明这一点。据Gartner公司调查，2007年全球前十大公司占全球商业芯片销售收入的53.1％。需注意，这仅是关于全部各类销售收入的集中度数据。集成电路(芯片)是中间产品；对某一具体最终产品所使用某种具体芯片而言，往往由单个或为数不多的若干芯片制造商处于市场垄断地位。例如，对个人和办公用微型计算机最终产品来说，因所谓WINTEL事实技术标准对既定消费者群体的锁定，至少在PC机的CPU芯片供应上，很多年来，英特尔公司实际上一直处于单寡头垄断地位。当然，近几年这种单寡头绝对垄断地位也一定程度受到AMD公司的冲击。至于其他具体种类芯片，也以单寡头或少数寡头垄断供应居多。
(四)跨国公司销售、制造、研局朝全球化方向发展。
2007年全球集成电路销售收入最多的十家公司分别是英特尔，三星电子、东芝、德州仪器、意法半导体、英飞凌、现代半导体、瑞萨、恩智浦和日本电气。十大巨头均为跨国公司，均以全球市场为背景，进行制造、销售、研发基地配置，以尽可能地取得行业竞争优势。以英特尔公司为例。英特尔在50个国家开设约300个分支机构，总公司对分支构架的控制主要采取控股、内部化方式，全球化布局战略在销售、制造、研发等方面都得到充分体现。
从销售收入地域格局来看，销售地域格局的多元化和新销售地域增长点的形成是支撑英特尔销售收入迅猛上升的主要因素。1997至2007年间，英特尔公司美洲销售份额从44％0持续下降至20％；欧洲份额从27％持续下降至19％；亚洲份额从19％持续上升至51％。
从制造过程来看，英特尔在全球范围整合生产体系，将高附加值部分(硅片生产与加工)留在美国，将制造设施放在以色列，将劳动密集型业务放在马来西亚、爱尔兰、菲律宾、巴巴多斯、中国和哥斯达黎加等地。随着中国市场重要性上升，英特尔在建设原上海测试和封装工厂的基础上，先后于2004年、2007年再在中国成都、大连建设封装测试和生产制造工厂。
从研局来看，在芯片设计和测试方面，美国、印度、以色列、中国等重要区域市场支点和人力资源丰富区是公司布局重点，其三大模块化通信平台、解决方案中心、研发中心分别布设在美国、中国和比利时。20世纪90年代以来，英特尔的全球架构整合行动一定程度影响和引领着其他芯片商。其中，一些公司对海外机构进行了重组。
(五)集成电路是中国的“短腿”产业。
我国集成电路的设计和制造还处在起步发展阶段，远不具备强势国际分工地位。这在多方面都有所体现。首先，集成电路是中国大额逆差产业。尽管近年我国货物贸易实现巨额贸易顺差，但顺差、逆差产业的分化明显。顺差主要集中在纺织、家电等产业上，而集成电路、矿产、塑料等发生大额逆差。2005年和2006年集成电路是我国头号逆差产品，其贸易逆差总额分别高达856亿美元和676亿美元，相当于当年全部货物贸易顺差的48.2％和66.4％。其次，我国各种专有权连年发生大额贸易逆差。2006年和2007年，通过国际收支反映出来的中国“专有权利使用费和特许费”贸易项逆差分别为64.3亿美元和78.5亿美元，分别相当于当年服务贸易国际收支逆差总额的72.8％和99.4％。如前阐述，集成电路产业要发展，需要以企业拥有强势知识产权所有权为基础，而专有权贸易项大额逆差实际上和集成电路设计产业处在幼稚期密切相关。还有，目前我国集成电路设计和制造企业的实际情况也说明了这一点。2007年中国內地销售收入排名第一的集成电路设计企业——华大集成电路设计集团有限公司销售收入总额大致相当于同年英特尔销售额的5％。在排名前几位的芯片设计制造商中，业务种类主要集中在身份管理、消费结算、通信、MPi、多媒体等低端芯片上面。
二、中国本土企业的借鉴经验
目前，在智能卡，固定和无线网络、消费电子、家电所用芯片，以及PC机芯片等产品领域，我国已经有若干集成电路设计制造企业，自主品牌业务迅速增长。境内自主品牌企业的成长经历初步表明，国内大市场能够为企业成长提供比较优势，知识产权建设是企业可持续成长的推动力，企业应该高度重视知识产权贸易纠纷应对，目前中国集成电路企业“走出去”尚不普遍。
(一)若干中低端集成电路设计企业迅速成长。
根据来自中国半导体行业协会的数据，中国内地集成电路设计产业销售收入从2002年的21.6亿元增长到2006年的186亿元，年均增长71.3％。位居2007年销售额前五位的企业分别是中国华大集成电路、深圳海思半导体、上海展讯通信、大唐微电子、珠海炬力集成电路。我国集成电路的本土“巨头”的业务范围主要集中在智能卡、多媒体、通信卡等低端业务上。同时，这些企业在成长早期的某个三至五年时间段，都发生过业务量迅猛增长。其中，珠海炬力2002-2005年间销售收入年均增长高达950％；上海展讯通信2007年销售收入相比上年增长了233.1％，中国华大集成电路2004-2006年销售收入年均增长62.6％。
(二)境内大市场能够为企业成长提供比较优势。
境内大市场对企业成长的重要作用的典型表现是：“第二代身份证项目”为中国华大、大唐微电子、上海华虹、清华同方微电子等企业成长提供了较大市场机遇。这里再以珠海炬力对市场的主动开发为例。从2001年开始，珠海炬力推出所谓“保姆式服务”。炬力在销售芯片的同时，免费附送一套完整的MP3制造“操作手册”，对芯片手工、规范、标准、制作和质量等做详细说明。同时，只要买了炬力芯片，炬力服务支持人员会告诉你到哪里买合适的PBC板，到哪里买电容、电阻，成本是多少。客户即便是外行，只要找几个会焊接技术、能看懂图纸的技术人员。然后再买模具回来，往上一扣就可以出货。“保姆式服务”吸引了大量中小厂商进入MP3市场，仅2005年，境内出现的MP3品牌就达600多个。由此，珠海炬力在中国本土成功巨量引爆MP3生产和消费能力。这种操作给矩力销售收入带来了井喷式增长。还有，珠海炬力后来深陷与美国芯片商SigmaTel公司的诉讼纠纷，对向美国出口受到限制，这时，正是面向境内和其他国家的销售为珠海炬力提供了市场缓冲和财务支持。在后来与SigmaTel公司的较量中，珠海炬力要求国内司法机关执行“诉前禁令”，而正是因为考虑到可能失去中国境内大市场，成为外方企业考虑和解的重要权衡因素，中国境内大市场成为斗争筹码之一。实际上，我们再从国际经贸理论提供的论证来看，不论是波特的国家比较优势论，还是战略性贸易理论，或者是杨小凯等人新兴古典贸易理论，境内大市场都是构建国际分工比较优势的重要支持因素之一。
(三)知识产权建设是企业可持续成长的推动力。
具备研究开发实力是启动、占领和拓展市场的基础，也是企业可持续成长的动力。所有快速成长的中国集成电路设计企业都表现出了这个特点，有的企业在技术标准建设上也取得了很大成绩。
1中国华大。2006年华大实现了新增知识产权45项，其中申报发明专利29项，软件著作权登记8项，集成电路版图登记8项。该公司自2003年开始进行WLAN芯片研发工作，成为无线局域网领域的“宽带无线IP标准工作组”正式成员。此外，作为“WAPI产业联盟”发起人单位之一，华大还积极参与到国家WLAN标准的制定。
2深圳海思。海思掌握具有一定地位的IC设计与验证技术，拥有先进的EDA设计平台、开发流程和规范，已经成功开发出100多款自主知识产权的芯片，共申请专利500多项。
3上海展讯通信。展讯近百项发明专利获得国内外正式授权，目前已形成一套核心技术的专利群。
4大唐微电子。公司连续开发出一系列具有自主知识产权的技术与产品，目前，公司共向国家知识产权局申报专利90项。
5珠海炬力。2003年以来，珠海炬力不断加大自主知识产权技术的研发投入力度，并积极申请专利、布图设计、软件著作权、商标权等多种形态知识产权，专利申请量和获得授权的数量实现了迅速增长。
(四)知识产权贸易纠纷提供的教训非常深刻。
在深圳海思尚未从华为拆分出来的时候，华为就在集成系统的软硬件方面和国外厂商有过知识产权摩擦。至于从2005年年初至2007年6月，珠海炬力与美国老牌芯片商SigmaTel的知识产权纠纷所引发的摩擦影响之大、企业投入之巨、持续时间之长、社会关注之广，在我国贸易纠纷历史上极为罕见。这一知识产权贸易纠纷提供的教训值得我国集成电路和高新技术企业长期引以为鉴。
1集成电路企业全球市场份额大幅攀升必然引发知识产权贸易摩擦。2003年以前，SigmaTel曾经在全球MP3芯片市场中占据70％以上的份额。但是，正是由于集成电路产品的快速换代性和消费者群体锁定性，随着珠海炬力的崛起，SigmaTel的市场份额不断遭到炬力蚕食。2006年4月，SigrnaTel第一季度收入较上年同期下降67％，正是出于“生死存亡”的考虑，SigmaTel才选择在珠海炬力成长的关键期，不遗余力地通过诉讼和其他途径，试图“阻击”炬力市场领地的蔓延。
2知识产权诉讼过程本身就会给竞争对手造成重大伤害。在诉讼其间，珠海炬力曾经遭遇对美国出口受到禁止、公司股价大跌、前后诉讼支出超过1000万美元等考验，如若公司没能挺住，可能就倒在诉讼途中。
3与诉讼对手和解，是双方博弈的理性选择。在整个诉讼和反诉过程中，珠海炬力经历“遭诉应诉反诉拒绝和解在对方调整条件后和解”的互动角色变化。而对手Sigma7el则经历“一定程度得手遭反诉提出和解遭到拒绝调整条件后和解”的角色变化。双方的和解与英特尔、微软、IBM、华为等公司与纠纷对手和解有类似之处，是实力较量之后的理性博弈和解。
4企业的知识产权管理必须同步于产品国际市场开拓。2005年以前，珠海炬力的知识产权管理是滞后于国际市场开拓的，当然也谈不上事前对可能陷入的诉讼做前瞻性准备。而正是回应诉讼强烈地推动了企业的知识产权管理。
(五)企业主动“走出去”尚不普遍。
目前就企业国际化而言，境内快速成长的企业均在自身设计产品出口方面取得了较大进展。其中，深圳海思、上海展讯、大唐微电子、珠海炬力等企业的海外销售收入都在公司销售总额中占有一定的比例。其中，2006年，深圳海思出口收入占销售收入的69％，上海展讯占32.6％，大唐微电子占1.4％，珠海炬力占89％。不过，在海外分支机构建设方面，仅深圳海思、上海展迅通信初步取得进展。
三、中国集成电路产业继续突围发展的基本要领
集成电路之所以成为中国的短腿产业，有其内在原因。集成电路企业的启动需要有较先进的技术和较强劲的资本实力作为基础；也需要国内居民普遍的收入达到一定水平，以支撑电脑、手机、消费电子、高端家电等购买阀值相对较高的产品形成市场规模。至于某些中高端芯片产品发展，国内企业还处于成长初期，会面临外方强势跨国公司全面垄断市场的压力。全面考虑这些情况，作为“短腿”的中国集成电路产业的发展历程必定是一个不断在技术和市场上构建优势，并突出外方强势企业重围的过程。
(一)积极拓展产品种类，提升产品档次。
我国现有集成电路企业，现有的集成电路关联企业，如计算机、家电、消费电子、工程服务等产业领域厂商，应该在企业原有的技术和财务实力的基础上，通过开发创新技术、建设技术标准和拓展产品市场，逐步拓宽和提升我国能够设计、开发、制造的集成电路产品种类，乃至实现我国设计的自主品牌集成电路产品，逐渐延伸到手机、计算机用CPU等高端芯片产品领域，并逐渐结束我国在高端集成电路领域的空白状态。
(二)企业主动开发境内大市场。
随着我国居民收入水平不断增长，我国消费购买阀值增大，对像集成电路这种高技术产业的突围成长而言，境内大市场的孵化、支持、缓冲等作用将表现得越来越明显。不过，境内大市场的这种作用需要企业主动去发现、开发和利用。因此，在中国内地企业提升集成电路产品档次、培育民族品牌产品、建设自主技术标准体系的过程中，应该借鉴珠海炬力、中国华大等企业的经验，创造性地拿出市场开发方案，通过生产和消费两方面的促进，激发我国的集成电路市场容量潜力，并实现企业快速成长。
(三)加强技术标准建设，占领知识产权制高点。
境内集成电路企业和集成电路产业关联企业，应以某些技术单点的创新成就为基础，加强产品价值链上下游环节技术创新和专利开发，以点带面，逐步形成本国自主知识产权技术标准集群。企业和政府共同努力，将谋求事实国际标准与国际标准认定结合起来，大力推进技术标准国际化。企业应积极建设产业联盟，集中同行技术实力，削弱国际同行竞争性标准影响力，促进自主产权技术标准建设。政府则应完善技术标准国内管理。同时，积极参加技术标准国际组织和论坛，推动技术标准国际合作机制改革。
(四)企业尽快“走出去”，培育形成民族自主品牌跨国公司。
随着我国自主品牌集成电路产品国际市场份额的增大，随着产品品种逐渐延伸到电子产品CPU等核心环节或高端领域，我国企业与外国跨国公司的直面竞争将在所难免。因此，从指导思想上，在集成电路企业的成长过程中，一定要尽快“走出去”，要以本行业世界一流跨国公司为标杆，构建全球性与区域性恰当结合的研发、生产、销售网络。另外，与集成电路关联的计算机制造、电信服务、工程服务企业，也都应该尽快成长为自主品牌跨国公司，并和集成电路跨国公司成长形成呼应、配合和相互促进的关系。
(五)政府和社会将集成电路产业作为战略产业予以扶持和资助。
集成电路产业具有以下特征：研发和资本需求强度较高，厂商静态动态规模经济效应明显，本国厂商和产业成长面临外方强势竞争对手，这些特征非常符合战略性贸易理论所阐述的战略性产业的特征。因此，政府应将该产业作为战略扶持产业。具体地说，政府应该选择集成电路(潜在)优势企业，运用研发资助、财税优惠、优惠性融资、出口补贴、“走出去”资助，外方优惠政策争取等措施，积极推动本国战略产业厂商提高国际市场份额。此外，政府还应和科研机构、其他社会各界一道，面向集成电路产业，加大基础科学研究力度，加强与科技项目、知识产权、人才培养相关的配套公共管理和服务。
(六)政府统筹建设境内外大市场，加强国际经贸合作关系。
首先要加强境内外关联产品消费设施和流通市场的建设。在国内，特别是在广大农村地区宜采取财政支出、优惠信贷等方式；在境外，主要面向发展中经济贸易伙伴，以政府发展援助、企业公益行动、贸易能力援助等方式，支持或帮助有线无线网络、电力等基础设施建设，改善PC、手机、家电等关联产品流通市场，提升贸易伙伴的贸易能力。其次要策略地开展国际经贸关系合作。积极面向在集成电路产业上和我国不存在竞争关系的经济体，通过FTA/RTA和其他经贸协议，形成(准)共同产品市场关系。第三要优化企业对外投资环境。加强国际投资协定合作和双边协商，破除中国企业境外投资进入障碍。
关键词：故障诊断；扫描诊断；全速诊断；IDDQ；IDDT
中图分类号：TM13 文献标识码：B
文章编号：1004-373X(2009)01-164-03
Scan-based Fault Diagnosis Technique for IC Testing
TAO Lifang1,MA Qi1,ZHU Hongwei2
(1.Microelectronic CAD Research Center,Hangzhou Dianzi University,Hangzhou,310018,China;
2.Institute of VLSI Design,Zhejiang University,Hangzhou,310027,China)
Abstract：Along with fast development of IC technology,higher and higher request for the IC products reliability is needed,which set a higher request for IC test specially the fault diagnosis.Scan-based fault diagnosis technique for IC testing,which is one of fault diagnosis methods wildly used,a kind of advanced scan diagnosis and at-speed diagnosis are presented detailedly in this paper.
Keywords：fault diagnosis;scan diagnosis;at-speed diagnosis;IDDQ;IDDT
0 引 言
通常意义的的集成电路测试,只是施加测试以判断被测电路是否存在故障,并不对故障进行定位、确定故障类型、明确故障发生的根本原因。随着集成电路技术的飞速发展,对集成电路测试提出了更高的要求,必须进一步分析测试的结果,确定故障的性质,即所谓的故障诊断 \(Fault Diagnosis),以便对集成电路设计或工艺环节进行改进。
集成电路故障诊断分为故障检测(测试)和故障定位,目的是找出引起集成电路失效(Failure)或者性能问题的物理缺陷(Defect),从而为提高集成电路芯片的成品率或改善性能提供参考。既然诊断是一个对存在于给定电路的制造复制板中的故障进行定位的过程,可以在测试结果的基础上,分析故障产生的原因和位置,更加有利于提高测试的效率。
1 常见的故障诊断方法
目前的集成电路故障诊断技术都是基于电压的集成电路测试(故障检测)方法,即在电路的测试端输入测试向量,然后用电路的输出结果与设计的期望值做比较以判断电路是否有故障。例如,直接测量的方法,基于数学模型的方法,故障字典法,故障树分析法 \等。
直接测量的方法是人工或者工具直接观察测量被诊断对象有关的输出量,如果超出正常变化范围,则认为对象已经或将要发生故障。这种方法虽然简单,但容易出现故障的误判和漏判。
基于数学模型的方法是在故障模型的基础上,通过电路状态并参考适当模型进行诊断,或者根据过程参数的变化特性参考适当模型进行诊断。这种方法需要模型的支持,对缺乏诊断经验(规则)的故障能起到预见作用。该方法的缺点是模型的建立比较困难,如果模型精确复杂,则诊断系统计算量庞大。
故障字典法［3］首先提取电路在各种故障状态下的电路特征,以构建一个字典。该字典中包含有故障状态和电路特征的一一对应关系。在诊断时,根据电路表现出的特征,就可查出此时对应的故障,如同查阅字典一样。由于故障字典的建立需要精确数据以及字典的容量有限,该方法有一定的局限性。
故障树分析法则像查找树一样,把许多电路的故障诊断归纳为几个大的顶级故障事件,然后针对每个顶级故障事件搜索故障位置。这种诊断方法类似于人类的思维方式,易于被接受和理解。
以上的基于电压的测试方法比较成熟,但是随着集成电路技术的发展,其不足之处也越来越明显。针对基于电压的故障诊断方法的不足,出现了基于电流的诊断方法。基于电流信息的集成电路诊断可分为静态电流(IDDQ)诊断和动态电流(IDDT)诊断。IDDQ诊断方法检测CMOS电路静态时的漏电流以进行诊断。IDDQ诊断方法测试成本低,可以以较小的IDDQ测试集获得较大的故障覆盖率,能够检测逻辑冗余故障,简化桥接故障测试,不需要考虑逻辑扇出点 \。IDDT诊断方法是通过检查电路在其内部状态发生翻转时的动态电流来发现其故障的方法。IDDT作为基于电压的诊断和基于电流的IDDQ诊断的补充,成为集成电路诊断的另一方法。IDDT测试的速度非常快,而且可以对电路中的开路故障、弱晶体管故障进行检测,而这正是
IDDQ诊断方法的不足 \。
2 基于扫描的集成电路故障诊断方法
扫描测试 \或者称“扫描链插入”是集成电路最常见的可测试性设计技术,可使测试数据从系统一端经由移位寄存器等组成的数据通路(扫描链)串行移入或移出,并在数据输出端对数据进行分析,以此提高电路内部节点的可控性和可观察性,达到测试芯片内部的目的。
基于扫描的故障检测(测试)只需完成确定是否存在故障的任务,但基于扫描的故障诊断需要定位故障,因此存在一个问题：一旦确定一个扫描错误,那么一系列节点都要成为测试的对象,这样就要花大量的时间通过电路图和物理版图,比较一系列节点,以隔离那些有可能有故障和缺陷的位置。所以,这种分析方法必须能对可能出现的故障类型以及其物理缺陷做出有经验的判断和猜测。另外,扫描测试是基于stuck at类型故障的,所以很难确定故障是开路型还是桥接型故障。
3 一种改进的扫描诊断技术
针对传统的基于扫描的故障诊断存在的问题,Mentor开发出了YieldAssist诊断工具。该工具把故障嫌疑(suspect)分为stuck-at,open/dom桥,B-OR-A,B-AND-A,3-WAY桥,根据现有信息不能确定的,EQ#等类型。除了采用基于定位的方法去验证故障嫌疑,确定故障嫌疑的类型,该工具还通过计算仿真值和测试机上观察值的比分值,来表明故障嫌疑与在测试机上观察的结果的相似度(相似度的分值是在 1~100分之间,分值越高二者越接近)。因为即使是在同一个逻辑位置,不同的故障模型也有不同的仿真值。
YieldAssist的故障诊断流程如下：
(1) 仿真单个门有故障的管脚,看看故障向量是否把在测试机观测到的错误行为传播到所有观测点,如果YieldAssist找到了关联,故障向量就可以在这个点被解释；
(2) 找到能包含所有错误向量的最小故障集；
(3) 把所有的数据归类到几个独立的“症状”区,每个症状中列出可以解释该故障向量的嫌疑类型。YieldAssist将嫌疑类型进行分级,给出每个症状中每个嫌疑的分值,这样对故障嫌疑进行分级。分值表明了故障嫌疑与在测试机上观察的结果的相似度。
4 一种基于扫描的全速诊断技术
全速测试 \是当今电子设计的要求,芯片时钟速度的不断提升和几何面积的不断减小,不可避免地导致芯片与时钟速度相关缺陷的增加。目前主要的ATPG工具都支持基于扫描的全速测试。最常见的针对制造缺陷和处理过程不稳定的检查的全速测试,包括了针对跳变延时故障和路径延时故障模型的测试向量生成。但是,在出现故障现象的全速测试向量中挑拣出故障路径是很消耗时间的,所以业界越来越期待运用自动诊断技术来确定故障路径并找出问题的根本原因。
通常情况下,运行一段给定电压给定温度下的测试向量,就能找出最大的通过速度T max。在早期阶段,T max小于指定电路速度F max的现象是很普遍的。当T max远远小于F max时,需要找出是哪条路径发生故障以及故障的原因。假设测试向量在芯片上以t max运行,此处T max＜t maxF max,根据T max的定义可知,在t max的时钟下,将会有一个或者多个故障路径。
根据上述理论,为了确定在t max下的故障路径,只需载入所有的测试向量,扫描锁存器观察故障值,就可以得到一个完整的路径集合。因为这些路径的有效运行时钟比设定的速度低,所以设计者可以观察这些路径是否是功能性(即是否完成某逻辑功能)：如果不是功能性的路径,可以修改测试向量使得该路径就不被测试；也可以更新时序例外通路(Timing Exception Paths),引导ATPG来避免敏化这条通路。如果是功能性的路径,那么在设计或者制造环节进行修正,直至测试向量通过全速测试。T max越接近F max,测试的覆盖率越高。
基于扫描的全速诊断［10］大致可以分为两部分：由ATE上观察到故障的锁存器找出故障路径；自动化全速诊断。
由ATE上观察到故障的锁存器中找出故障路径,需要注意以下两点：当时钟速度从T max提升到t max,多时钟故障通路有可能被激活,此时的搜索就不能只假定在一个单故障路径；全速测试的故障有可能是由毛刺引起的,并不是故障路径的每个节点都有跳变,所以搜索不能局限在有跳变的范围内 \。
自动化全速诊断可以分为3步：
(1) 对每一个出现故障现象的测试向量(故障向量),在观测到故障的锁存器中找到所有故障值的所有单跳变错误。
(2) 从所有故障向量中得到候选项之后,找到一个覆盖所有错误向量的最小跳变错误的最小集合。
(3) 为了观察故障路径,对于已经确定的每个跳变错误,图形化展示所有能被故障向量解释的故障路径。这些通路用循迹跟踪法来找到,从错误点反向至在错误点产生跳变的锁存器,然后再前向至结束点［12］。
5 结 语
介绍了故障诊断的常见方法,重点介绍了基于扫描的故障诊断方法。随着技术的不断发展,对芯片故障诊断的要求也越来越高,基于扫描的集成电路故障诊断算法将是研究和应用的热点。
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【关键词】集成电路；失效分析；电性分析；物理分析
失效分析就是判断失效的模式，查找失效原因，弄清失效机理，并且预防类似失效情况再次发生。集成电路失效分析在提高集成电路的可靠性方面有着至关重要的作用，对集成电路进行失效分析可以促进企业纠正设计、实验和生产过程中的问题，实施控制和改进措施，防止和减少同样的失效模式和失效机理重复出现，预防同类失效现象再次发生。本文主要讲述集成电路失效分析的技术和方法。
1.集成电路失效分析步骤
集成电路的失效分析分为四个步骤。在确认失效现象后，第一步是开封前检查。在开封前要进行的检查都是无损失效分析。开封前会进行外观检查、X光检查以及扫描声学显微镜检查。第二步是打开封装并进行镜检。第三步是电性分析。电性分析包括缺陷定位技术、电路分析以及微探针检测分析。第四步是物理分析。物理分析包括剥层、聚焦离子束（FIB）、扫描电子显微镜（SEM）、透射电子显微镜（TEM）以及VC定位技术。通过上述分析得出分析结论，完成分析报告，将分析报告交给相关技术人员。相关技术人员根据相应的缺陷进行改进，以此来实现对集成电路失效分析的意义。
2.无损失效分析技术
所谓无损失效分析，就是在不损害分析样品，不去掉芯片封装的情况下，对该样品进行失效分析。无损失效分析技术包括外观检查、X射线检查和扫描声学显微镜检查。在外观检查中，主要是凭借肉眼检查是否有明显的缺陷，如塑脂封装是否开裂，芯片的管脚是否接触良好等等。X射线检查则是利用X射线的透视性能对被测样品进行X射线照射，样品的缺陷部分会吸收X射线，导致X射线照射成像出现异常情况。X射线检测主要是检测集成电路中引线损坏的问题，根据电子器件的大小及电子器件构造情况选择合适的波长，这样就会得到合适的分辨率。而扫描声学显微镜检测是利用超声波探测样品内部的缺陷，主要原理是发射超声波到样品内部，然后由样品内部返回。根据反射时间以及反射距离可以得到检测波形，然后对比正常样品的波形找出存在缺陷的位置。这种检测方法主要检测的是由于集成电路塑封时水气或者高温对器件的损坏，这种损坏常为裂缝或者是脱层。相对于有损失效分析方法的容易损坏样品、遗失样品信息的缺点，无损失效分析技术有其特有的优势，是集成电路失效分析的重要技术。[1]
3.有损失效分析技术
无损失效分析技术只能对集成电路的明显缺陷做出判断，而对于存在于芯片内部电路上的缺陷则无能为力。所以就要进行有损失效分析，有损失效分析技术包括打开封装、电性分析以及物理分析。
3.1 打开封装
有损失效分析首先是对集成电路进行开封处理，开封处理要做到不损坏芯片内部电路。根据对集成电路的封装方式或分析目的不同，采取相应的开封措施。方法一是全剥离法，此法是将集成电路完全损坏，只留下完整的芯片内部电路。缺陷是由于内部电路和引线全部被破坏，将无法进行通电动态分析。方法二是局部去除法，此法是利用研磨机研磨集成电路表面的树脂直到芯片。优点是开封过程中不损坏内部电路和引线，开封后可以进行通电动态分析。方法三是全自动法，此法是利用硫酸喷射来达到局部去除法的效果。[2]
3.2 电性分析
电性分析技术包括缺陷定位、电路分析以及微探针检测分析。
3.2.1 缺陷定位
定位具体失效位置在集成电路失效分析中是一个重要而困难的项目，只有在对缺陷的位置有了明确定位后，才能继而发现失效机理以及缺陷的特性。缺陷定位技术的应用是缺陷定位的关键。Emission显微镜技术、OBIRCH（Optical Beam Induce Resistance Change）技术以及液晶热点检测技术为集成电路失效分析提供了快捷准确的定位方法。
Emission显微镜具有非破坏性和快速精准定位的特性。它使用光子探测器来检测产生光电效应的区域。由于在硅片上发生损坏的部位，通常会发生不断增长的电子-空穴再结合而产生强烈的光子辐射。因而这些区域可以通过Emission显微镜技术检测到。OBIRCH技术是利用激光束感应材料电阻率变化的测试技术。对不同材料经激光束扫描可测得不同的材料阻值的变化；对于同一种材料若材料由于某种因素导致变性后，同样也可测得这一种材质电阻率的变化。我们就是借助于这一方法来探测金属布线内部的那些可靠患。液晶热点检测是一种非常有效的分析手段，主要是利用液晶的特性来进行检测。但液晶热点检测技术的要求较高，尤其是对于液晶的选择，只有恰当的液晶才能使检测工作顺利进行。液晶热点检测设备一般由偏振显微镜、可以调节温度的样品台以及控制电路构成。在由晶体各向异性转变为晶体各向同性时所需要的临界温度的能量要很小，以此来提高灵敏度。同时相变温度应控制在30-90摄氏度的可操作范围内，偏振显微镜要在正交偏振光下使用，这样可以提高液晶相变反应的灵敏度。[3]
3.2.2 电路分析
电路分析就是根据芯片电路的版图和原理图，结合芯片失效现象，逐步缩小缺陷部位的电路范围，最后是利用微探针检测技术来定位缺陷器件，从而达到对于缺陷器件定位的要求。
3.2.3 微探针检测技术
微探针的作用是测量内部器件上的电参数值，如工作点电压、电流、伏安特性曲线等。微探针检测技术一般是伴随电路分析配合使用的，两者的结合可以较快的搜寻失效器件。
3.3 物理分析
物理分析技术包括聚焦离子束、扫描电子显微镜、透射电子显微镜以及VC定位技术。
3.3.1 聚焦离子束（FIB）
聚焦离子束就是利用电透镜将离子束聚焦成为微小尺寸的显微切割器，聚焦离子束系统由离子源、离子束聚焦和样品台组成。聚焦离子束的主要应用是对集成电路进行剖面，传统的方法是手工研磨或者是采用硫酸喷剂，这两种方法虽然可以得到剖面，但是在日益精细的集成电路中，手工操作速度慢而且失误率高，所以这两种方法显然不适用。聚焦离子束的微细精准切割结合扫描电子显微镜高分辨率成像就可以很好的解决剖面问题。聚焦离子束对被剖面的集成电路没有限制，定位精度可以达到0.1um以下，同时剖面过程中集成电路受到的应力很小，完整地保存了集成电路，使得检测结果更加准确。
3.3.2 扫描电子显微镜（SEM）
扫描电子显微镜作为一种高分辨率的微观仪器，在集成电路的失效分析中有着很好的运用。扫描电子显微镜是由扫描系统和信号检测放大系统组成，原理是利用聚焦的电子束轰击器件表面从而产生许多电子信号，将这些电子信号放大作为调制信号，连接荧光屏便可得到器件表面的图像。对于不同层次的信号采集可以选用不同的电子信号，那样所得到的图像也将不同。
3.3.3 透射电子显微镜（TEM）
透射电子显微镜的分辨率可以达到0.1nm，其大大优于扫描电子显微镜。集成电路的器件尺寸在时代的发展中变得越来越小，运用透射电子显微镜可以更好的研究产品性能，在集成电路失效分析中，透射电子显微镜可以清晰地分析器件缺陷。透射电子显微镜将更好地满足集成电路失效分析对检测工具的解析度要求。
3.3.4 VC定位技术
前文讲述的利用Emission/OBIRCH/液晶技术来定位集成电路中的失效器件，在实际应用过程中热点的位置往往面积偏大，甚至会偏离失效点几十个微米，这就需要一种更精确的定位技术，可以把失效范围进一步缩小。VC（Voltage Contrast）定位技术基于SEM或FIB，可以把失效范围进一步缩小，很好地解决了这一难题。VC定位技术是利用SEM或者FIB的一次电子束或离子束在样品表面进行扫描。硅片表面不同部位具有不同电势，表现出来不同的明亮对比度。VC定位技术可以通过检测不同的明亮对比度，找出异常亮度的点，从而定位失效点的位置。
4.总结
我们认识了常用的集成电路失效分析技术和方法，而更深刻地了解各种技术的应用还需要在实际的分析工作当中积累经验，再认识再提高。
参考文献
[1]刘迪，陆坚，梁海莲，顾晓峰.SOI专用集成电路的静态电流监测和失效分析[J].固体电子学研究与进展，2013，2.
第二条为使企业享受国务院《鼓励软件产业和集成电路产业发展的若干政策》(国发[*]18号，简称《若干政策》)及其配套的优惠政策，加速我国集成电路产业发展，根据《若干政策》第四十九条和有关规定，制定本办法。
第三条国家发展和改革委员会、信息产业部、国家税务总局和海关总署为集成电路企业认定主管部门(以下简称主管部门)，负责全国集成电路企业的认定管理工作，其职责是：
(一)组织集成电路企业认定机构(以下简称认定机构)开展认定工作；
(二)监督检查全国集成电路企业的认定工作，审核批准认定结果；
(三)受理对认定结果、年审结果以及有关认定决定的异议申诉。
第四条主管部门共同委托中国半导体行业协会为集成电路企业认定机构，负责集成电路企业认定和年审工作。其职责是：
(一)受理集成电路企业认定申请；
(二)具体组织集成电路企业认定工作，提出认定意见；
(三)负责集成电路企业年度审查，并将结果报主管部门备案。
第五条申请认定的集成电路企业须满足下列条件：
(一)是依法成立的从事集成电路芯片制造、封装、测试以及6英寸(含)以上硅单晶材料生产的法人单位；
(二)具有与集成电路产品生产相适应的生产经营场所、软硬件设施和人员等基本条件，其生产过程符合集成电路产品生产的基本流程、管理规范，具有保证产品生产的手段与能力；
(三)自产(含代工)集成电路产品销售收入占企业当年总收入的60％以上(新建企业除外)；
(四)企业主管税务机关认定企业无恶意欠税或偷税骗税等违法行为。
第六条企业在申请集成电路企业认定时，须按认定实施细则要求提供相关资料，提交的资料及其内容必须真实有效。
第七条集成电路企业的认定，由企业向认定机构提出申请。认定机构应依照相关实施细则进行审理，并于15个工作日内向主管部门提出认定意见及相关资料。国家发展和改革委员会会同信息产业部、国家税务总局、海关总署，于45个工作日内联合发文确定或将否定意见告认定机构。
第八条认定结果在认定机构的网站及有关媒体上，接受社会监督。
第九条国家对认定的集成电路企业实行年度审查制度。企业向认定机构提交年度审查报告，认定机构出具年审意见报主管部门备案。
第十条企业应按规定的时限向认定机构提交年度审查报告，逾期未报的企业视为自动放弃认定资格；年审不合格的集成电路企业，其认定资格自下一年度起取消。
第十一条经认定的集成电路企业发生调整、分立、合并、重组等变更情况时，须在作出变更决定之日起30日内，向原认定机构办理变更认定或重新申报手续。未经国家发展和改革委员会与有关部门批准同意变更认定的，取消企业的认定资格，停止享受有关优惠政策。
第十二条集成电路企业一经发现有偷税等违法行为的，经核实后取消该企业认定资格，停止享受有关优惠政策。
第十三条经查明企业在申请集成电路企业认定时提供虚假材料及内容的，中止其认定申请；已认定的，撤销其集成电路企业的认定资格，并予以通报，同时追回已减免税收款项；认定机构3年内不再受理其认定申请。
第十四条经认定的集成电路企业，凭主管部门共同签发的认定文件，到有关部门办理享受有关优惠政策的手续。
为帮助开发人员降低系统成本、设计复杂度和减少元器件数量，Precision32系列产品提供极高的外设集成度，节省物料（BOM）成本高达1.34美元。Precision32系列产品可完全自定义I/O系统和引脚位置分配，为开发人员提供更灵活的替代方案。
利用SiliconLabs专有的双crossbar技术和拖拽式GUI，开发人员能够容易的选择所需模拟和数字外设，并为外设分配引脚。而其他MCU通常预定义外设位置和引脚，导致潜在引脚冲突，迫使开发人员改变设计或使用更大、更昂贵的封装。Precision32系列产品的模拟外设具有全温度和电压（低至1.8V）范围内的额定特性，并通过严格测试。
SiliconLaboratories
省略
面向汽车电子应用的微控制器
RH850系列32位微控制器采用40nmMONOS（金属氧化氮氧化硅）嵌入式闪存技术，是面向汽车电子应用的首款此类产品。RH850系列MCU采用全新的RH85032位内核，具有卓越的运算能力和超低功耗性能。
RH850可以满足汽车行业中各个部分不断变化的主要市场趋势，其中包括从ASILA到ASILD等级的功能性安全要求、集成了信息安全功能以及为实现绿色环保（如减少二氧化碳排放量）而设计的超低功耗。RH850系列能够以单核提供64MHz到320MHz的性能等级，并且多核系统将取得更高的整体性能。其嵌入式闪存的存储范围从256KB到8MB，更包含了模拟EEPROM功能的附加模块，并可提供12.5万次的擦写操作，数据存储至少达到20年。新产品系列将包含面向多种用途量身设计的产品阵容，并全面配备了RH850的32位内核架构。为了保证客户软件的兼容性，所有的产品系列都采用相同的平台开发理念，在整个RH850一代产品中重复应用相同的IP。集成型开发环境（IDE）将能够支持RH850全系列产品，使客户能从目前使用的产品更顺利移植到新平台，并进一步降低了整体的开发成本。
RenesasTechnology
电话：021-6472-1001
省略
多模式多频段功率放大器
ALT6181多模式、多频段功率放大器经过专门优化，可以在LTE、WCDMA和CDMA信号调制模式下实现优异的性能，支持1、5、6、18、19和26频段。该功率放大器针对所有调制模式，增强了效率、电流消耗和线性度三大指标，同时确保关键的谐波、噪声和交调性能等指标能带来优异的电话级性能。该MMPA解决方案采用了公司专有的InGaP-Plus技术和HELP架构，可在中低输出功率水平实现最优效率，且无须使用DC/DC转换器。如与DC/DC转换器配合使用，MMPA则可提供更强的性能。
MMPA外形紧凑，面积仅为5mm×7.5mm，内置一个稳压器和独立的单端射频链。同时内置高定向性耦合器，为获得最优系统性能提供了保障。在GSM模式下，MMPA可以在所有功率水平下实现高效率，而在EDGE模式 下，则能在所有条件下达到各种苛刻的调制谱模板要求。
ANADIGICS
省略
移动用高清晰度音频编解码器
CX20752和CX20754遵从英特尔高清音频规范1.1，其音频保真性能超出了MicrosoftWLP4.0台式机和笔记本电脑的premiumlogo要求。两款编解码器内置2个取样频率高达192kHz的24位立体声数模转换器和2个取样频率高达96kHz的24位立体声模数转换器，两者均支持多数据流和实时通信应用。
CX20752和CX20754集成了立体声无滤波器D类扩音器和专有的共模扰码技术，可驱动每通道功效2W-rms、1%THD+N达到4Ω负荷。器件和扬声器可受到直流电检测负荷、高通滤波器、短路、限电流、温度和其他更多保护。
内置的5带宽硬件均衡器（EQ）和动态范围控制（DRC）使扬声器音效最佳而不失真，可从移动PC内部独立于驱动和操作系统的扬声器实现高品质音频体验。锁定保护可使扬声器和麦克风免受黑客干扰。
Conexant
电话：0755-2583-6380
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高性能P沟道MOSFET器件
FDMA905P和FDME905PT是具有低导通阻抗的MOSFET，这些器件具有优异的散热性能和小占位尺寸，也非常适合线性模式应用。FDMA905P采用
多模多频单芯片收发IC
MB86L11A2G/3G/4G多模多频收发器具有支持电流损耗和RF参数的基准性能。采用小封装的新品具有许多创新特性，包括强化功率控制、包络跟踪（ET）和天线谐调（AT）功能。包络跟踪技术极大地降低了无线电系统的功耗，同时还能改善发射机效率。天线谐调则优化了天线的整体辐射功率输出。这两个特性将优化移动设备的电池寿命。
高级编程接口（API）不仅缩短了工厂量产校准时间，还提供灵活变通的端口映射并增加了定制关键绩效指标（KPI）。除此以外，MB86L11A还采用了富士通首创的SAW-less体系结构，可节省外部低噪声放大器（LNAs）。
MB86L11A还具有其他特性，包括发射器上的8个RF输出、IC上的9个直接RF输入和6个分级RF输入，可更为灵活地为不同市场提供所需要的映射端口和频段。该收发器使用公开标准MIPIDigRFSM基带接口，具有DigRF4G和DigRF3G接口，可连接既存的2G/3G基带平台和最新的多模式4G基带。
富士通微电子(上海)有限公司
电话：021-6335-1560省略
用于汽车的全新可调输出低压降稳压器
NCV47700和NCV47701LDO稳压器产品具有一个CSO输出诊断引脚，可用于检测空载和短时负荷。将电阻器与CSO相连提供了介于10mA和350mA之间的可调输出电流等级，精度为±10%。ADJ接地引脚将NCV47700和 NCV47701配置为限流高端开关。器件集成高峰值输入电压容差、反向输入电流保护以及过流和过温保护功能，可以保护汽车应用免遭常见的恶劣操作环境之影响。此外，集成电流感应功能无须应用分立方案，而分立方案往往需要更多板空间和增加元件总数。
此两器件还提供可调输出电压版本，包括电压范围为5～20V，精度为±6%的NCV47700以及精度为±3%的NCV47701。这两款全新的LDO稳压器IC的工作结温都在-40～+150℃的范围，符合甚或超越汽车行业的规范要求。
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低抖动SiGeVCSO产品
M675S02系列是针对低抖动和低相位噪声时钟生成的单频、单输出VCSO，可支持从500MHz～1GHz的基频。与前几代产品相比，新器件可提供更高的频率。低抖动和相位噪声可帮助减少整体误码率（BER），使器件十分适用于锁相环应用、时钟和数据恢复电路，以及其他电信和光纤网络系统中的计时应用。
新型超低功耗MSP430微控制器平台
与业界任何微控制器相比，“金刚狼”平台在任意场合中均可提供最低的功耗-最低的运行功耗、待机功耗、存储器功耗和外设功耗。例如：典型的电池供电型应用其99.9%的时间都处于待机模式，而基于“金刚狼”的微控制器在待机模式中的流耗仅为360nA，可使电池寿命延长一倍以上。
TI开发的ULL技术可提供10倍以上的漏电指标改善幅度及优化的混合信号性能。基于“金刚狼”的微控制器充分利用了世界上功耗最低的存储器FRAM，运行模式中的工作电流可低于100μA/MHz，而且与基于闪存和EEPROM的微控制器相比，其每位能耗下降了250倍。除了这些功耗方面的优势之外，FRAM还是100%非易失性的，这就使开发人员既能获得SRAM的低功耗、高速度和灵活性，同时又可以享受到Flash重要的无供电存储能力。此外，新型超低功耗架构大幅降低了电源消耗，具有6.5μs的快速唤醒时间和高精度外设。
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面向小型蜂窝基站及宏基站的多标准SoC
TCI6636是业界首款采用LTEAdvanced(LTE-A)技术的SoC，支持40MHz的LTE信号带宽。同时，其独特之处在于它还可作为WCDMA/LTE宏基站控制器器件，能支持多领域宏基站。它可优化容量增强特性的实现，如更高的带宽、MIMO天线配置和高级接收器以及LTE用户调度算法。TCI6636还支持同步双模式，不仅可帮助运营商简化从2G到3G甚至4G的升级工作，而且无须对每种标准采用专用设备，也无须进行现场物理升级，从而可降低资本支出与运营成本。
TCI6636基于TI最新可扩展型KeyStoneII多内核架构，并采用四核ARMCortex-A15RISC处理器，为开发人员带来超过两倍的容量及超高性能的同时，功耗仅为传统RISC内核的一半。此外，该产品还采用28nm芯片工艺技术，集成8个TMS320C66x定点及浮点DSP内核，以及增强型数据包、安全与无线AccelerationPacs等一系列处理元件。上述这些处理组件与现场验证的层一、层二、层三和传输处理功能以及运维与控制处理功能完美结合在一起，可显著降低系统成本与功耗。
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电源PowerSources
全桥式PWM电动机驱动器
该IC专为电感负载的双向脉宽调制(PWM)电流控制设计，能够连续输出高达±1.5A的电流，操作电压达到50V。A4973内部固定停机时间PWM电流控制电路可用于将最大载荷电流调节为需要的数值。用户可通过选择输入参考电压和外部感应电阻设置峰值载荷电流限制。用户可通过选择外部RC计时网络设置固定停机时间脉冲持续时间。内部电路保护包括因滞后引起的过热关机、瞬态抑制二极管及交叉电流保护。
在“启用”输入持低的情况下，“相位”输入通过选择适当的源极与灌电流驱动器配对来控制负载电流的极性。“模式”输入决定PWM电流控制电路是在慢电流衰减模式下（仅指选定的源极驱动器开关）还是在较快的电流衰减模式下（选定的源极与灌电流开关）操作。用户可选择空白窗口防止对PWM电流控制电路的错误触发。在“启用”输入保持在高位时，所有的输出驱动器禁用。睡眠模式可降低功率消耗。当在“制动”输入中应用逻辑低时，制动功能启用。这样，两个源极驱动器的“启用”与“相位”变成“关”，且两个灌电流驱动器变成“开”。该制动功能可用于动态制动电刷直流电动机。
Allegro
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智能手机LCD背光灯LED驱动器
AS3674背光灯驱动芯片家族补充了奥地利微电子照明管理单元的产品组合，单个的芯片就综合了背光灯、智能灯光、环境光传感器（ALS）等应用处理性能。AS3674是一款高效的2MHzDC/DC开关式升压转换器，可控制5组电流源，每组各驱动2个串联的LED。其新增的灵活性体现在控制LED的电流时可由外部电阻器设定，单通道最高可达25mA。AS3490与AS3674具有同样功能，但仅包含三组LED通道。
软启动的特点使AS3674更容易集成到对噪声敏感的无线射频系统中。AS3674由两组输入电路控制，也可用介于100～800Hz的PWM电路控制，实现1:2000的调光比。单通道两个LED的配置结合2MHz的转换器操作频率，实现使用诸如4.7μH电感的微小外部组件。
AS3674工作电压为2.5～5.5V，并且包括诸如低电压封锁、过流和过热保护以及LED测试等一系列安全特性。AS3674和AS3490均采用节省空间的12-ballWL-CSP封装（1.7mm×1.4mm×0.5mm，高0.4mm）
austriamicrosystems
电话：0512-6762-2590
省略
集成了ATCA电源输入模块的最新版DC/DC总线转换器
ATCR250-48D12-03J转换器是极少数集成了12V中间总线主通道输出与3.3V管理总线次通道输出的电源产品，其特点是可以执行ATCA控制和相关的监控功能。只要采用这款转换器，便可大幅简化-48V直流双通道热插拔冗余电源分配系统的设计，让ATCA或其他电信系统的电路板兼具抗电磁干扰的滤波功能。
这款电源模块不但性能稳定可靠，而且采用的小巧封装及集成了许多创新功能，让电信系统可以充分利用其电路板的空间，因此比其他传统的设计更具成本效益。此外，这款电源模块还可支持许多电源接口功能，其中包括OR-ing控制、滤波和浪涌电流控制，而电源管理功能还配备了I2C串行总线通信接口。
艾默生网络能源
电话：0755-8601-0808
省略
4通道数字电源管理器
LTC2974以4个或更多电源轨实现完整的数字电源系统管理。其运用一个I2C接口和PMBus命令集来监视并控制正或负电源，可在电源系统设计、开发、生产和故障分析时，提供快速故障查找和调试功能。任何具“运行”引脚的电源都可利用跟踪或基于时间的事件进行排序和控制。LTC2974的4个通道同时地监视电压和电流以及外部温度，因此用户可以补偿移位MOSFET的RDS(ON)或电感器DCR。每个电源都可以随温度变化进行裕度调节和微调， 利用一个数字伺服环路测量轨电压并连续地调节，以保持准确度不变。LTC2974的所有电源功能都以不打任何折扣的准确度执行，总体未调节误差好于±0.省略
省略
高速4A与5A双通道输出MOSFET驱动器
UCC27210与UCC27211是业界首批120V启动高低侧双通道输出 MOSFET驱动器，可在解决驱动器输入-10V直流电(VDC)抗扰度问题的同时，提供高达4A的输出电流。这两款驱动器提供18ns传播延迟，支持多种高频率半桥及全桥电源拓扑。
主要技术特性：0.9Ω上拉及下拉电阻可最大限度降低MOSFET转换通过米勒效应平台时的开关损耗；增强的系统可靠性：输入支持～10V直流，无须整流二极管便可实现到栅极驱动变压器的直接接口连接。
TexasInstruments
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省略
完全可编程的集成型数字控制
数字控制功能可帮助设计人员进一步发挥电源系统作用，包括在多个平台上重复使用硬件设计，针对每项应用调整性能并控制参数以实现多功能等，进而加速产品上市进程。为实现这一目标，UCD3138在小型6mm×6mm封装中整合了强大的32位微处理器、高速高精度数据转换器、多个可编程硬件控制环路以及不同的通信引擎。
UCD3138的主要特性与优势：具有数项可提高效率的控制功能，包括同步FET软开关控制、动态相位切换、动态频率调整以及动态模式开关等；支持单相位、双相位交错式或无桥功率因数校正、硬开关全桥、相移全桥、共振LLC以及其他拓扑；可实施峰值电流模式控制、逐周期峰值电流限制、高速输入电压前反馈以及过压、过流及过温保护等。
测试和测量
支持10Gb/s和40Gb/s以太网协议分析的测试验证平台
SierraNetM408协议测试系统是一套先进、高性价比的10Gb/s和40Gb/s以太网协议分析平台。它包括FibreChanneloverEthernet(FCoE)和iSCSI等应用。基于力科全新的高级分析平台，SierraNet能够分析以太网总线活动，为用户识别协议冲突、错误恢复、性能和其他链接条件。SierraNet是一个基于硬件的10Gb/s和40Gb/s以太网协议分析仪，可以帮助设计者加快以太网技术的开发和测试，以确保正确的功能、性能和互操作性。SierraNet也是一个面向未来的测试工具，能够支持当前正在开发10GE，并计划未来开发40GE产品的用户。
SierraNet提供了一些创新性的功能，为用户提供极佳体验。它硬件上配备了SFP+和QSFP端口用以支持10GE和40GE。这套系统支持网速测量，并提供比其他分析仪多两倍的捕获缓存。每一个端口提供非重定时、全双工直通通道，确保测试平台对被测系统尽量是透明的。SierraNet也包含一个1GE接口可以用于控制分析仪，也包含一个5Gb/s的USB3.0接口用于即插即用的控制。SierraNet有易于理解的控制面板，以及指示各端口连接情况的LED灯。另外，SierraNet能够对back-toback事件、使用计数等进行多级触发和过滤，帮助以太网协议测试工程师快速捕获、查找和分析问题。
LeCroy
电话：010-8280-0318
省略
带数字电压表(DVM)功能的示波器
安捷伦为其InfiniiVision3000X系列示波器添加了1GHz带宽的4款产品，该系列1GHz示波器的起步价和业内其他制造商提供的500MHz带宽示波器的价格相近。
增加4款1GHz带宽3000X系列示波器，使得InfiniiVision2000X和3000X成员增加到30款，能够满足众多客户对该主流示波器的迫切需求。尤其是多合一的综合性能、较低的价位和创新特性（例如内置信号源）不断赢得工程师的赞誉，其中，3000X系列示波器的内置任意波形发生器和示波器构成激励响应测量系统，简单易用的同时也拓展了一些新的应用和测量领域。
随同这4款1GHz带宽示波器的，同时推出1GHz有源探头N2795A，专为匹配3000X系列示波器的性能需求而设计，因设计指标留有裕量，再加上3000X系列1GHz带宽示波器的频响是最大平坦度频响，可保证3000X1GHz示波器配上N2795A后的系统带宽是1GHz，而且N2795A作为有源探头，其负载效应小，性能远优于无源探头，同 时其价位与同等无源探头相当。
此外，2000X和3000X系列现在都提供电压表和计数器选件，其中电压表（DVM）是3位的，计数器是5位的，工作时可与示波器共享探头。电压表和计数器的测量与示波器的触发系统无关，他们是独立的硬件，允许工程师通过相同的连接执行DVM和触发示波器测量。
AgilentTechnologies
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用于测试40/100Gb/s技术的完全集成的光调制分析仪
AgilentN4392A是一款便携式、完全集成的光调制分析仪配有大尺寸显示屏，可加快深入分析复杂调制光信号的速度。紧凑的设计和适中的价格使该光调制分析仪更适合所有工程师使用，以便在40/100Gb/s相干发射机和接收机开发和制造过程中对复杂的调制光信号进行分析。
N4392A使得工程师可以很轻松地根据业界100Gb/s相干传输标准表征元器件，例如同相正交调制器和集成的相干接收机。集成的设计显著加快了设置速度，并且使用户无须再为配置耗费精力，可以集中应对设计挑战。内置性能验证和重校准功能可使用户对测试结果充满信心，并延长建议的重校准周期，以提高运行时间和降低拥有成本。
除了其他光调制分析仪当前提供的特性，N4392A还可提供4个差分射频输入通道，帮助工程师表征集成的相干光 接收机。工程师能够在需要时正确地分析信号，更深入地分析复杂调制光信号的特性，避免设计中可能出现的陷阱。
AgilentTechnologies
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超绝缘计SM8710
超绝缘计SM8710适用于测量手机等电子设备上装配的多层陶瓷电容（MLCC）。SM7810针对MLCC的产线，检查泄漏电流的时间比原先缩短了30%，达到6.8ms的超快速度，检测速度提高的同时，大幅缩短了检查时间，提高了工作效率。相比以往产品配备4个测量通道，SM7810配备了8个测量通道，因此，每次检测的MLCC的数量都成倍增长，提高了检查效率。另外，SM7810使用1mA的大电流量程时，能够迅速判断大容量的MLCC是否良好。利用SM7810在进行高速测量时，也能进行接触检查，这能够防止测量探头接触不良的误判断，因此，提高了检查的可靠性。
HIOKI
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经济型数字示波器
DS2000系列经济型数字示波器立足于RIGOL研发的新一代设计平台，继承了RIGOLDS6000、DS4000主流示波器的众多优点，各项指标在同类产品中均力拔头筹，在价格方面性价比也十分突出。
DS2000系列示波器采用了RIGOL独创的UltraVision技术，可实现深存储，高波形捕获率，实时波形录制及回放，多级灰度显示等功能。DS2000系列配置200MHz/100MHz/70MHz三个级别带宽，实时采样率高达2GSa/s，存储深度最大可达56Mpts，波形捕获率达50000个波形每秒，硬件实时波形不间断录制和波形分析功能支持录制高达65000个波形，多达256级的灰度显示等。DS2000系列示波器还拥有丰富的触发功能，标配10种触发，除常见的脉宽触发、视频触发、欠幅触发等，还标配三种总线触发RS232/UART触发、I2C触发、SPI触发，对于高级应用客户，可选配更多的触发功能，如超幅触发、第N边沿触发、USB触发等。也可选配RS232、I2C、SPI常用总线解码功能。在接口方面，DS2000系列示波器的接口也很丰富，有USBHost、USBDevice、LAN(LXI)、AUX接口等。
在产品外型上，DS2000采用不对称设计理念，造型新颖，外观时尚，它还拥有8英寸高清的TFT（800×480显示分辨率）显示屏，显示效果清晰明亮，观察波形得心应手。
RIGOL
电话：010-8070-6688省略
软件/开发工具
面向EZ-USBFX3USB3.0控制器的图形化软件设计工具
赛普拉斯半导体公司推出面向EZUSBFX3控制器的GPIFIIDesigner软件，用以支持SuperSpeedUSB3.0功能。GPIF（通用可编程接口）IIDesigner可为设计人员提供功能强大且易于使用的图形界面，用于配置EZUSBFX3的可编程GPIFII接口，可以与任何需要USB连接功能的微控制器、ASIC、FPGA、图像传感器或类似器件进行通信。EZ-USBFX3是一款通过认证的可编程USB3.0器件控制器，可向几乎任何系统添加USBSuperSpeed连接功能。
该工具界面直观，只包含三个简单易用的窗口。一是配置窗口（ConfigurationWindow），可定义I/O和控制线；二是状态机窗口（StateMachineCanvas），可定义接口状态机；三是时序仿真窗口（TimingSimulationWindow），可验证接口的时序。此外，该工具还可提供业界标准的项目管理功能，可帮助FX3客户保存GPIFII接口设计并重复使用。该工具生成的C语言头文件可与采用FX3API库的FX3应用进行集成，并与标准ARM工具配合使用。
CypressSemiconductor
