Gold OA文章占比:16.37%
OA被引用占比:0.1270...
开源占比:0.2239
研究类文章占比:96.45%
国际标准简称:J VAC SCI TECHNOL B
人气 418
《Journal Of Vacuum Science & Technology B》是一本专注于ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC领域的English学术期刊,创刊于1991年,由A V S AMER INST PHYSICS出版商出版,出版周期Bimonthly。该刊发文范围涵盖ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC等领域,旨在及时、准确、全面地报道国内外ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC工作者在该领域的科学研究等工作中取得的经验、科研成果、技术革新、学术动态等。该刊已被SCIE数据库收录,在中科院JCR最新升级版分区表中,该刊分区信息为大类学科工程技术4区,2023年影响因子为1.5。
Journal of Vacuum Science & Technology B emphasizes processing, measurement and phenomena associated with micrometer and nanometer structures and devices. Processing may include vacuum processing, plasma processing and microlithography among others, while measurement refers to a wide range of materials and device characterization methods for understanding the physics and chemistry of submicron and nanometer structures and devices.
大类学科 | 分区 | 小类学科 | 分区 | Top期刊 | 综述期刊 |
工程技术 | 4区 | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 纳米科技 PHYSICS, APPLIED 物理:应用 | 4区 4区 4区 | 否 | 否 |
大类学科 | 分区 | 小类学科 | 分区 | Top期刊 | 综述期刊 |
工程技术 | 4区 | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 纳米科技 PHYSICS, APPLIED 物理:应用 | 4区 4区 4区 | 否 | 否 |
大类学科 | 分区 | 小类学科 | 分区 | Top期刊 | 综述期刊 |
工程技术 | 4区 | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 纳米科技 PHYSICS, APPLIED 物理:应用 | 4区 4区 4区 | 否 | 否 |
大类学科 | 分区 | 小类学科 | 分区 | Top期刊 | 综述期刊 |
工程技术 | 4区 | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 纳米科技 PHYSICS, APPLIED 物理:应用 | 4区 4区 4区 | 否 | 否 |
大类学科 | 分区 | 小类学科 | 分区 | Top期刊 | 综述期刊 |
工程技术 | 4区 | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 纳米科技 PHYSICS, APPLIED 物理:应用 | 4区 4区 4区 | 否 | 否 |
中科院分区:中科院分区是SCI期刊分区的一种,是由中国科学院国家科学图书馆制定出来的分区。主要有两个版本,即基础版和升级版。2019年中国科学院文献情报中心期刊分区表推出了升级版,实现了基础版和升级版的并存过渡;升级版是对基础版的延续和改进,将期刊由基础版的13个学科扩展至18个,科研评价将更加明确。
按JIF指标学科分区 | 收录子集 | 分区 | 排名 | 百分位 |
学科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC | SCIE | Q3 | 252 / 352 |
28.6%
|
学科:NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY | SCIE | Q4 | 115 / 140 |
18.2%
|
学科:PHYSICS, APPLIED | SCIE | Q3 | 134 / 179 |
25.4%
|
按JCI指标学科分区 | 收录子集 | 分区 | 排名 | 百分位 |
学科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC | SCIE | Q4 | 278 / 354 |
21.61%
|
学科:NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY | SCIE | Q4 | 115 / 140 |
18.21%
|
学科:PHYSICS, APPLIED | SCIE | Q4 | 145 / 179 |
19.27%
|
JCR分区:JCR(Journal Citation Reports)由科睿唯安公司(前身为汤森路透)开发。JCR没有设置大类,只将期刊分为176个具体学科,也就是中科院分区中的小类学科。基于不同学科的当年影响因子高低进行排序,将期刊的数量均匀分为四个部分,Q1区代表学科分类中影响因子排名前25%的期刊,以此类推,Q2区为前25%-50%期刊,Q3区为前50%-75%期刊,Q4区为75%以后期刊。
近年中科院分区趋势图
近年IF值(影响因子)趋势图
影响因子:是美国科学信息研究所(ISI)的期刊引证报告(JCR)中的一项数据。指的是某一期刊的文章在特定年份或时期被引用的频率,是衡量学术期刊影响力的一个重要指标。自1975年以来,每年定期发布于“期刊引证报告”(JCR)。
文章引用名称 | 引用次数 |
Review Article: Synthesis, p... | 21 |
Review Article: Atomic layer... | 14 |
Tutorial on interpreting x-r... | 9 |
Future prospects of fluoride... | 7 |
Realizing ferroelectric Hf0.... | 7 |
High-density energy storage ... | 6 |
Minimal domain size necessar... | 6 |
Direct metal etch of rutheni... | 6 |
Reduced twinning and surface... | 6 |
Atomic force microscope inte... | 6 |
被引用期刊名称 | 数量 |
JPN J APPL PHYS | 267 |
J APPL PHYS | 249 |
J VAC SCI TECHNOL B | 201 |
APPL SURF SCI | 152 |
J VAC SCI TECHNOL A | 141 |
ACS APPL MATER INTER | 126 |
NANOTECHNOLOGY | 121 |
APPL PHYS LETT | 112 |
ECS J SOLID STATE SC | 105 |
MATER RES EXPRESS | 94 |
引用期刊名称 | 数量 |
APPL PHYS LETT | 314 |
J VAC SCI TECHNOL B | 201 |
J APPL PHYS | 198 |
PHYS REV B | 108 |
J VAC SCI TECHNOL A | 80 |
NANO LETT | 77 |
THIN SOLID FILMS | 66 |
APPL SURF SCI | 62 |
MICROELECTRON ENG | 62 |
NANOTECHNOLOGY | 62 |
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A V S AMER INST PHYSICS, STE 1 NO 1, 2 HUNTINGTON QUADRANGLE, MELVILLE, USA, NY, 11747-4502
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