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首页 SCI期刊 工程技术 2区 Ieee Transactions On Electron Devices(非官网)
Ieee Transactions On Electron Devices杂志

Gold OA文章占比:6.38%

OA被引用占比:0.0017...

开源占比:0.0674

研究类文章占比:100.00%

Ieee Transactions On Electron Devices

国际标准简称:IEEE T ELECTRON DEV

人气 1581

《Ieee Transactions On Electron Devices》是一本专注于PHYSICS, APPLIED领域的English学术期刊,创刊于1954年,由Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.出版商出版,出版周期Monthly。该刊发文范围涵盖PHYSICS, APPLIED等领域,旨在及时、准确、全面地报道国内外PHYSICS, APPLIED工作者在该领域的科学研究等工作中取得的经验、科研成果、技术革新、学术动态等。该刊已被SCIE数据库收录,在中科院JCR最新升级版分区表中,该刊分区信息为大类学科工程技术2区,2023年影响因子为2.9。

  • 2区

    中科院分区
  • Q2

    JCR分区
  • SCIE

    期刊收录
  • 是否预警
ISSN:0018-9383
出版地区:UNITED STATES
出版周期:Monthly
E-ISSN:1557-9646
创刊时间:1954
出版语言:English
是否OA开放访问:未开放
研究方向:工程技术-工程:电子与电气
影响因子:2.9
年发文量:1084
出版商:Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.
平均审稿速度: 约4.7个月

Ieee Transactions On Electron Devices期刊简介

IEEE Transactions on Electron Devices publishes original and significant contributions relating to the theory, modeling, design, performance and reliability of electron and ion integrated circuit devices and interconnects, involving insulators, metals, organic materials, micro-plasmas, semiconductors, quantum-effect structures, vacuum devices, and emerging materials with applications in bioelectronics, biomedical electronics, computation, communications, displays, microelectromechanics, imaging, micro-actuators, nanoelectronics, optoelectronics, photovoltaics, power ICs and micro-sensors. Tutorial and review papers on these subjects are also published and occasional special issues appear to present a collection of papers which treat particular areas in more depth and breadth.

Ieee Transactions On Electron Devices中科院分区

中科院分区2023年12月升级版

大类学科 分区 小类学科 分区 Top期刊 综述期刊
工程技术 2区 PHYSICS, APPLIED 物理:应用 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 2区 3区

中科院分区2022年12月升级版

大类学科 分区 小类学科 分区 Top期刊 综述期刊
工程技术 2区 PHYSICS, APPLIED 物理:应用 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 2区 3区

中科院分区2021年12月旧的升级版

大类学科 分区 小类学科 分区 Top期刊 综述期刊
工程技术 2区 PHYSICS, APPLIED 物理:应用 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 2区 3区

中科院分区2021年12月基础版

大类学科 分区 小类学科 分区 Top期刊 综述期刊
工程技术 3区 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 PHYSICS, APPLIED 物理:应用 3区 3区

中科院分区2021年12月升级版

大类学科 分区 小类学科 分区 Top期刊 综述期刊
工程技术 2区 PHYSICS, APPLIED 物理:应用 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 2区 3区

中科院分区2020年12月旧的升级版

大类学科 分区 小类学科 分区 Top期刊 综述期刊
工程技术 2区 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 PHYSICS, APPLIED 物理:应用 2区 2区

中科院分区:中科院分区是SCI期刊分区的一种,是由中国科学院国家科学图书馆制定出来的分区。主要有两个版本,即基础版和升级版。2019年中国科学院文献情报中心期刊分区表推出了升级版,实现了基础版和升级版的并存过渡;升级版是对基础版的延续和改进,将期刊由基础版的13个学科扩展至18个,科研评价将更加明确。

JCR分区(2023-2024年最新版)

按JIF指标学科分区 收录子集 分区 排名 百分位
学科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q2 143 / 352
59.5%
学科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q2 68 / 179
62.3%
按JCI指标学科分区 收录子集 分区 排名 百分位
学科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q2 145 / 354
59.18%
学科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q2 61 / 179
66.2%

JCR分区:JCR(Journal Citation Reports)由科睿唯安公司(前身为汤森路透)开发。JCR没有设置大类,只将期刊分为176个具体学科,也就是中科院分区中的小类学科。基于不同学科的当年影响因子高低进行排序,将期刊的数量均匀分为四个部分,Q1区代表学科分类中影响因子排名前25%的期刊,以此类推,Q2区为前25%-50%期刊,Q3区为前50%-75%期刊,Q4区为75%以后期刊。

CiteScore 指数(2024年最新版)

  • CiteScore:5.8
  • SJR:0.785
  • SNIP:1.223

CiteScore排名:

学科类别 分区 排名 百分位
大类:Engineering 小类:Electrical and Electronic Engineering Q2 221 / 797
72%
大类:Engineering 小类:Electronic, Optical and Magnetic Materials Q2 82 / 284
71%

CiteScore值计算方式:例如2024公布的CiteScore是将统计在 2020年-2023年间年所发表文章的引用次数除以在 2020年-2023年间所发表的发文总数。

CiteScore数据来源:是由全球著名学术出版商Elsevier(爱思唯尔)基于其Scopus数据库推出的期刊评价指标。CiteScore指数以四年区间为基准来计算每本期刊的平均被引用次数,并提供期刊领域排名、期刊分区的相关信息,它的作用是测量期刊的篇均影响力。

其它数据分析对比

近年中科院分区趋势图

近年IF值(影响因子)趋势图

影响因子:是美国科学信息研究所(ISI)的期刊引证报告(JCR)中的一项数据。指的是某一期刊的文章在特定年份或时期被引用的频率,是衡量学术期刊影响力的一个重要指标。自1975年以来,每年定期发布于“期刊引证报告”(JCR)。

发文统计(统计区间:2023年-2024年)

国家/地区 发文量
CHINA MAINLAND 741
USA 455
India 399
Taiwan 232
South Korea 181
GERMANY (FED REP GER) 149
Japan 123
Italy 111
France 110
England 100
文章引用名称 引用次数
Fully Inkjet-Printed Photode... 42
Effects of Postannealing on ... 37
Critical Role of Interlayer ... 28
Demonstration of Constant 8 ... 27
Ferroelectric FETs With 20-n... 22
2-D Layered Materials for Ne... 20
High Endurance Ferroelectric... 20
BTI Analysis Tool-Modeling o... 20
Improved Switching Stability... 18
Design and Investigation of ... 17
被引用期刊名称 数量
IEEE T ELECTRON DEV 3214
IEEE ELECTR DEVICE L 865
JPN J APPL PHYS 565
IEEE J ELECTRON DEVI 499
SOLID STATE ELECTRON 431
IEEE ACCESS 422
SEMICOND SCI TECH 412
J APPL PHYS 400
APPL PHYS LETT 388
J COMPUT ELECTRON 284
引用期刊名称 数量
IEEE T ELECTRON DEV 3214
IEEE ELECTR DEVICE L 1587
APPL PHYS LETT 1366
J APPL PHYS 866
SOLID STATE ELECTRON 384
PHYS REV B 305
ADV MATER 238
MICROELECTRON RELIAB 235
NANO LETT 209
ACS APPL MATER INTER 195

投稿注意事项

文章要求:

1、建议稿件控制10页以上,文章撰写语言为英语;(单栏格式,单倍行距,内容10号字体,文稿类型包含:原创研究(Original Research)、案例报告(Case Report)、文献综述(Literature Review)等;文件格式包含word、PDF、LaTeX等。

2、稿件重复率控制10%以内,论文务必保证原创性、图标、公式、引文等要素齐备,保证附属资料的完整。已发表或引用过度的文章将不会被出版和检索,禁止一稿多投,拒绝抄袭、机械性的稿件。

3、稿件必须有较好的英语表达水平,有图,有表,有公式,有数据或设计,有算法(方案,模型),实验,仿真等;参考文献控制25条以上,参考文献引用一半以上控制在近5年以内。

图片和图表要求:

1、建议使用TIFF、EPS、JPEG格式 ,TIFF格式 使用LZW压缩。

2、文件大小最大不超过20MB,不要以单个文件的形式上传数据。

3、彩色图片的分辨率≥300dpi;黑白图片的分辨率在≥500dpi;line art图片类型的分辨率≥1000dpi;色彩模式建议采用RGB,除非期刊注明要CMYK。

4、线条不要细于0.25pt,也不能太粗,超过1.5pt,过细或过粗都影响美观。

5、表格一般和manuscrript放置在一个word文档里部分期刊 需要单独上传表格。

作者信息:

1、包括作者姓名、最高学位,作者单位(精确到部门),邮箱,地址,邮编,关键词,内容,总结,项目基金,参考文献,作者相片+简介(一定要确保作者信息准确无误,提交稿件之后这部分不能再作改动)。

更多征稿细则请查阅杂志社征稿要求。本站专注期刊投稿服务十年,确保SCI检索,稿件信息安全保密,合乎学术规范不成功不收费,详情请咨询客服。

杂志社联系方式

IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC, 445 HOES LANE, PISCATAWAY, USA, NJ, 08855-4141

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