Gold OA文章占比:97.60%
OA被引用占比:1
开源占比:0.9789
研究类文章占比:98.91%
国际标准简称:IEEE J ELECTRON DEVI
人气 609
《Ieee Journal Of The Electron Devices Society》是一本专注于ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC领域的English学术期刊,创刊于2013年,由Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.出版商出版,出版周期1 issue/year。该刊发文范围涵盖ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC等领域,旨在及时、准确、全面地报道国内外ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC工作者在该领域的科学研究等工作中取得的经验、科研成果、技术革新、学术动态等。该刊已被SCIE数据库收录,在中科院JCR最新升级版分区表中,该刊分区信息为大类学科工程技术3区,2023年影响因子为2。
The IEEE Journal of the Electron Devices Society (J-EDS) is an open-access, fully electronic scientific journal publishing papers ranging from fundamental to applied research that are scientifically rigorous and relevant to electron devices. The J-EDS publishes original and significant contributions relating to the theory, modelling, design, performance, and reliability of electron and ion integrated circuit devices and interconnects, involving insulators, metals, organic materials, micro-plasmas, semiconductors, quantum-effect structures, vacuum devices, and emerging materials with applications in bioelectronics, biomedical electronics, computation, communications, displays, microelectromechanics, imaging, micro-actuators, nanodevices, optoelectronics, photovoltaics, power IC's, and micro-sensors. Tutorial and review papers on these subjects are, also, published. And, occasionally special issues with a collection of papers on particular areas in more depth and breadth are, also, published. J-EDS publishes all papers that are judged to be technically valid and original.
大类学科 | 分区 | 小类学科 | 分区 | Top期刊 | 综述期刊 |
工程技术 | 3区 | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 | 4区 | 否 | 否 |
大类学科 | 分区 | 小类学科 | 分区 | Top期刊 | 综述期刊 |
工程技术 | 3区 | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 | 3区 | 否 | 否 |
大类学科 | 分区 | 小类学科 | 分区 | Top期刊 | 综述期刊 |
工程技术 | 3区 | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 | 3区 | 否 | 否 |
大类学科 | 分区 | 小类学科 | 分区 | Top期刊 | 综述期刊 |
工程技术 | 4区 | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 | 4区 | 否 | 否 |
大类学科 | 分区 | 小类学科 | 分区 | Top期刊 | 综述期刊 |
工程技术 | 3区 | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 | 3区 | 否 | 否 |
大类学科 | 分区 | 小类学科 | 分区 | Top期刊 | 综述期刊 |
工程技术 | 3区 | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 | 3区 | 否 | 否 |
中科院分区:中科院分区是SCI期刊分区的一种,是由中国科学院国家科学图书馆制定出来的分区。主要有两个版本,即基础版和升级版。2019年中国科学院文献情报中心期刊分区表推出了升级版,实现了基础版和升级版的并存过渡;升级版是对基础版的延续和改进,将期刊由基础版的13个学科扩展至18个,科研评价将更加明确。
按JIF指标学科分区 | 收录子集 | 分区 | 排名 | 百分位 |
学科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC | SCIE | Q3 | 202 / 352 |
42.8%
|
按JCI指标学科分区 | 收录子集 | 分区 | 排名 | 百分位 |
学科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC | SCIE | Q3 | 179 / 354 |
49.58%
|
JCR分区:JCR(Journal Citation Reports)由科睿唯安公司(前身为汤森路透)开发。JCR没有设置大类,只将期刊分为176个具体学科,也就是中科院分区中的小类学科。基于不同学科的当年影响因子高低进行排序,将期刊的数量均匀分为四个部分,Q1区代表学科分类中影响因子排名前25%的期刊,以此类推,Q2区为前25%-50%期刊,Q3区为前50%-75%期刊,Q4区为75%以后期刊。
CiteScore排名:
学科类别 | 分区 | 排名 | 百分位 |
大类:Materials Science 小类:Electronic, Optical and Magnetic Materials | Q2 | 90 / 284 |
68%
|
大类:Materials Science 小类:Electrical and Electronic Engineering | Q2 | 253 / 797 |
68%
|
大类:Materials Science 小类:Biotechnology | Q2 | 139 / 311 |
55%
|
CiteScore值计算方式:例如2024公布的CiteScore是将统计在 2020年-2023年间年所发表文章的引用次数除以在 2020年-2023年间所发表的发文总数。
CiteScore数据来源:是由全球著名学术出版商Elsevier(爱思唯尔)基于其Scopus数据库推出的期刊评价指标。CiteScore指数以四年区间为基准来计算每本期刊的平均被引用次数,并提供期刊领域排名、期刊分区的相关信息,它的作用是测量期刊的篇均影响力。
近年中科院分区趋势图
近年IF值(影响因子)趋势图
影响因子:是美国科学信息研究所(ISI)的期刊引证报告(JCR)中的一项数据。指的是某一期刊的文章在特定年份或时期被引用的频率,是衡量学术期刊影响力的一个重要指标。自1975年以来,每年定期发布于“期刊引证报告”(JCR)。
机构名称 | 发文量 |
NATIONAL YANG MING CHIAO TUN... | 35 |
INDIAN INSTITUTE OF TECHNOLO... | 22 |
CHINESE ACADEMY OF SCIENCES | 20 |
ECOLE POLYTECHNIQUE FEDERALE... | 18 |
NATIONAL TSING HUA UNIVERSIT... | 17 |
UNIVERSITY OF ELECTRONIC SCI... | 17 |
NATIONAL CHENG KUNG UNIVERSI... | 15 |
SEOUL NATIONAL UNIVERSITY (S... | 15 |
SOUTH CHINA UNIVERSITY OF TE... | 15 |
PEKING UNIVERSITY | 14 |
国家/地区 | 发文量 |
CHINA MAINLAND | 168 |
USA | 99 |
Taiwan | 98 |
South Korea | 74 |
Japan | 61 |
India | 40 |
France | 29 |
GERMANY (FED REP GER) | 27 |
Switzerland | 23 |
Belgium | 20 |
文章引用名称 | 引用次数 |
FinFET Versus Gate-All-Aroun... | 21 |
Characterization and Compact... | 19 |
Characterization and Modelin... | 14 |
Cryogenic Temperature Charac... | 11 |
Hysteresis Reduction in Nega... | 11 |
Tunneling Transistors Based ... | 11 |
Direct Correlation of Ferroe... | 10 |
Ferroelectric HfO2 Tunnel Ju... | 10 |
Development and Fabrication ... | 10 |
Experimental Investigations ... | 10 |
被引用期刊名称 | 数量 |
IEEE T ELECTRON DEV | 140 |
IEEE J ELECTRON DEVI | 75 |
IEEE ELECTR DEVICE L | 59 |
SEMICOND SCI TECH | 36 |
IEEE ACCESS | 29 |
JPN J APPL PHYS | 27 |
SOLID STATE ELECTRON | 22 |
APPL PHYS LETT | 20 |
MICROMACHINES-BASEL | 20 |
J APPL PHYS | 18 |
引用期刊名称 | 数量 |
IEEE T ELECTRON DEV | 499 |
IEEE ELECTR DEVICE L | 445 |
APPL PHYS LETT | 311 |
J APPL PHYS | 180 |
SOLID STATE ELECTRON | 105 |
IEEE J ELECTRON DEVI | 75 |
JPN J APPL PHYS | 73 |
NANO LETT | 64 |
IEEE J SOLID-ST CIRC | 58 |
NATURE | 53 |
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中科院分区 3区
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