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降低半绝缘GaAs单晶片亮点缺陷的热处理工艺研究

作者:杨艺 周春锋 兰天平gaas单晶片热处理亮点缺陷

摘要:GaAs单晶材料已成为一种重要的微电子和光电子基础材料,应用广泛。为了降低半绝缘砷化镓单晶片表面的亮点缺陷,对砷化镓晶片在不同温度和不同砷蒸汽压条件下进行了热处理,研究了热处理对砷化镓中砷的存在形式转换的影响及其机理。

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天津科技

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