HXeBr势能面和振动能级的理论研究

作者：王晓红; 黄正国hxebr振动能级势能面

摘要：HXeBr分子的电子基态的势能面由超过4200个从头算起始点构建,使用内部收敛的多参考组态相互作用方法与戴维森校正计算（icMRCI＋Q）,从势能面上确定稳定性和解离势垒,文章研究发现,三体解离通道是HXeBr的主要解离通道,使用兰乔斯算法计算的HXeBr的低位振动能级与实验法得到的结果完全一致.

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